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Cerâmica de carboneto de silício (sic)é um material cerâmico avançado que contém silício e carbono. Já em 1893, o pó SiC sintetizado artificialmente começou a ser produzido em massa como um abrasivo. Os grãos de carboneto de silício preparados podem ser sinterizados para formar muitocerâmica, que éCerâmica sic.
Estrutura de cerâmica sic
A cerâmica do SiC tem as excelentes características de alta dureza, alta resistência e resistência à compressão, estabilidade de alta temperatura, boa condutividade térmica, resistência à corrosão e baixo coeficiente de expansão. Atualmente, a cerâmica do SiC é amplamente utilizada nos campos de automóveis, proteção ambiental, aeroespacial, informações eletrônicas, energia etc. e se tornaram um componente importante ou parte insubstituível em muitos campos industriais.
Atualmente, o processo de preparação da cerâmica de carboneto de silício é dividido emsinterização da reação, sinterização sem pressão, sinterização a quente pressionadaeRecrestalização sinterização. A sinterização da reação tem o maior mercado e baixo custo de produção; A sinterização sem pressionamento tem alto custo, mas excelente desempenho; A sinterização pressionada a quente tem o melhor desempenho, mas de alto custo e é usada principalmente em campos de alta precisão, como aeroespacial e semicondutores; A sinterização da recristalização produz materiais porosos com mau desempenho. Portanto, a cerâmica da SIC usada na indústria de semicondutores é frequentemente preparada por sinterização a quente.
As vantagens relativas e desvantagens da Cerâmica SiC (HPSC) pressionada a quente em comparação com os outros sete tipos de sic:
Principais mercados e desempenho do SIC por diferentes métodos de produção
Preparação da cerâmica sic por sinterização a quente:
•Preparação de matéria -prima: O pó de carboneto de silício de alta pureza é selecionado como matéria-prima e é pré-tratado por moagem de esferas, triagem e outros processos para garantir que a distribuição do tamanho de partícula do pó seja uniforme.
•Design de molde: Projete um molde adequado de acordo com o tamanho e a forma da cerâmica de carboneto de silício para ser preparado.
•Carregamento de mofo e pressionado: O pó de carboneto de silício pré-tratado é carregado no molde e depois pressionado sob condições de alta temperatura e alta pressão.
•Sinterização e resfriamento: Depois que o pressionado é concluído, o molde e o espaço em branco do carboneto de silício são colocados em um forno de alta temperatura para sinterização. Durante o processo de sinterização, o pó de carboneto de silício passa gradualmente uma reação química para formar um denso corpo de cerâmica. Após a sinterização, o produto é resfriado à temperatura ambiente usando um método de resfriamento apropriado.
Diagrama conceitual do forno de indução de carboneto de silício pressionado a quente:
• (1) vetor de carga da imprensa hidráulica;
• (2) pistão de aço da imprensa hidráulica;
• (3) dissipador de calor;
• (4) pistão de transferência de carga de grafite de alta densidade;
• (5) matriz prensada a quente de grafite de alta densidade;
• (6) isolamento do forno de carga de grafite;
• (7) cobertura do forno resfriado a água;
• (8) tubo de bobina de indução de cobre resfriado a água incorporado na parede do forno hermético;
• (9) camada de isolamento de fibra de fibra de grafite comprimida;
• (10) forno resfriado a água;
• (11) hidráulico com estrutura de carga de carga inferior ao vetor de reação de força;
• (12) corpo de cerâmica HPSC
A cerâmica de sic siC a quente é:
•Pu altority:0,98% (SiC de cristal único é 100% puro).
•Totalmente denso: 100% A densidade é facilmente alcançada (o SiC de cristal único é 100% denso).
•Polycrystalline.
•A microestrutura de cerâmica SiC de grãos ultrafinos de grãos ultrafinos atinge facilmente 100% densidade. Isso torna a cerâmica sic de siC que quente superior a todas as outras formas de SiC, incluindo SiC de cristal único e SiC sinteizado direto.
Portanto, a cerâmica do SIC possui propriedades superiores que superam outros materiais de cerâmica.
Na indústria de semicondutores, a cerâmica da SIC tem sido amplamente utilizada, como discos de retificação de carboneto de silício para moagembolachas, Manipulação de bolacha Efetor finalPara transportar bolachas e peças na câmara de reação de equipamentos de tratamento térmico, etc.
A SIC Ceramics está desempenhando um papel enorme em toda a indústria de semicondutores e, com a atualização contínua da tecnologia de semicondutores, eles ocuparão uma posição mais importante.
Agora, diminuir a temperatura de sinterização da cerâmica da SIC e encontrar processos de produção novos e baratos ainda são o foco da pesquisa dos trabalhadores materiais. Ao mesmo tempo, explorar e desenvolver todas as vantagens da cerâmica do SIC e beneficiar a humanidade é a principal tarefa do semicondutor de vetek. Acreditamos que a cerâmica do SIC terá amplas perspectivas de desenvolvimento e aplicação.
Propriedades físicas do carboneto de silício sinterizado de vetesemicon:
Propriedade
Valor típico
Composição química
Sic> 95%e <5%
Densidade a granel
> 3,07 g/cm³
Porosidade aparente
<0,1%
Módulo de ruptura aos 20 ℃
270 MPa
Módulo de ruptura a 1200 ℃
290 MPA
Dureza aos 20 ℃
2400 kg/mm²
Resistência à fratura em 20%
3,3 mpa · m1/2
Condutividade térmica em 1200 ℃
45 com M.K.
Expansão térmica em 20-1200 ℃
4,51 × 10-6/℃
Temperatura máxima de trabalho
1400 ℃
Resistência ao choque térmico em 1200 ℃
Bom
Vetek semicondutor é um fabricante e fornecedor profissional chinês de Transportadora de barco de alta pureza de alta pureza, Assim, Alta pureza SiC cantilever paddle, Assim, Sic cantilever paddle, Assim, Barco de bolacha de carboneto de silício, Assim, Susceptador de revestimento sic siC do MOCVDe Outras cerâmicas semicondutores. O vetek semicondutor está comprometido em fornecer soluções avançadas para vários produtos de revestimento para a indústria de semicondutores.
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