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Epitaxia de silício

Epitaxia de silício, EPI, epitaxia, epitaxial refere -se ao crescimento de uma camada de cristal com a mesma direção cristalina e diferente espessura do cristal em um único substrato de silício cristalino. A tecnologia de crescimento epitaxial é necessária para a fabricação de componentes discretos de semicondutores e circuitos integrados, porque as impurezas contidas nos semicondutores incluem o tipo n e o tipo P. Através de uma combinação de tipos diferentes, os dispositivos semicondutores exibem uma variedade de funções.


O método de crescimento da epitaxia de silício pode ser dividido em epitaxia da fase gasosa, epitaxia da fase líquida (LPE), epitaxia de fase sólida, método de crescimento de deposição de vapor químico é amplamente utilizado no mundo para atender à integridade da rede.


O equipamento epitaxial típico de silício é representado pelo LPE da Italian Company, que possui panóticos de panqueca, tipo de barril, por pnótico, semicondutor hy pnotic, transportador de wafer e assim por diante. O diagrama esquemático da câmara de reação epitaxial em forma de barril é a seguinte. O vetek semicondutor pode fornecer o peletor epitaxial em forma de barril. A qualidade do PELECTOR revestido com SiC é muito maduro. Qualidade equivalente a SGL; Ao mesmo tempo, o vetek semicondutor também pode fornecer o bico de quartzo da cavidade da reação epitaxial de silício, o defletor de quartzo, a jarra de sino e outros produtos completos.


Susceptador epitaxial vertical da epitaxia de silício:


Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Os principais produtos Susceptores epitaxiais verticais do semicondutor vetek


SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI Susceptador de barril de grafite revestido com SIC para EPI SiC Coated Barrel Susceptor Susceptador de barril revestido com sic CVD SiC Coated Barrel Susceptor Susceptador de barril revestido com CVD SIC LPE SI EPI Susceptor Set LPE se o conjunto de apoiadores do EPI



Susceptador epitaxial horizonal da epitaxia de silício:


Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Principal Principal de Produtos de Susceptores Epitaxiais do Vetek Semicondutores


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray Bandeja epitaxial de silício monocristalino de revestimento SiC SiC Coated Support for LPE PE2061S Suporte revestido com SIC para LPE PE2061S Graphite Rotating Susceptor Suporte rotativo de grafite



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Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD

Pino de elevação de wafer SiC AMAT 0200-03201 CVD

Este pino de levantamento wafer AMAT 0200-03201 da VeTek começa com grafite de alta pureza e, em seguida, adicionamos um revestimento denso de CVD SiC por cima. É feito para sistemas epitaxia de 300 mm e reatores EPI de materiais aplicados. Por que grafite e SiC? O grafite lida muito bem com o calor. A camada de SiC absorve gases corrosivos e não se desgasta rapidamente. O design de parede fina? Isso proporciona um levantamento e posicionamento mais limpos do wafer, menos partículas e maior vida útil da peça sob altas temperaturas. Também fabricamos peças semelhantes de grafite revestidas com SiC para sistemas ASM, Aixtron e LPE. Aguardamos sua consulta.
Meia-lua para Câmara de Reação LPE

Meia-lua para Câmara de Reação LPE

O Halfmoon é um componente de grafite utilizado dentro de reatores LPE SiC, instalados principalmente ao redor da zona quente da câmara. Embora não entre em contato direto com o wafer, ele ainda desempenha um papel na estabilidade do fluxo de gás e na operação do reator durante o crescimento epitaxial. Para lidar com altas temperaturas e condições de processo reativas, o componente é geralmente protegido com revestimento CVD SiC, enquanto o revestimento TaC também está disponível para algumas aplicações. A VETEK também fornece isolamento de feltro de grafite e outras peças revestidas de grafite para sistemas de epitaxia SiC.
Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

A câmara do reator epitaxial revestido com SiC da Veteksemicon é um componente central projetado para processos exigentes de crescimento epitaxial de semicondutores. Utilizando deposição química de vapor avançada (CVD), este produto forma um revestimento de SiC denso e de alta pureza em um substrato de grafite de alta resistência, resultando em estabilidade superior em altas temperaturas e resistência à corrosão. Ele resiste efetivamente aos efeitos corrosivos dos gases reagentes em ambientes de processo de alta temperatura, suprime significativamente a contaminação por partículas, garante qualidade consistente do material epitaxial e alto rendimento, e estende substancialmente o ciclo de manutenção e a vida útil da câmara de reação. É uma escolha fundamental para melhorar a eficiência e a confiabilidade da fabricação de semicondutores de banda larga, como SiC e GaN.
Peças do receptor EPI

Peças do receptor EPI

No processo central de crescimento epitaxial de carboneto de silício, a Veteksemicon entende que o desempenho do susceptor determina diretamente a qualidade e a eficiência de produção da camada epitaxial. Nossos susceptores EPI de alta pureza, projetados especificamente para o campo de SiC, utilizam um substrato especial de grafite e um denso revestimento CVD de SiC. Com sua estabilidade térmica superior, excelente resistência à corrosão e taxa de geração de partículas extremamente baixa, eles garantem espessura incomparável e uniformidade de dopagem para os clientes, mesmo em ambientes de processos severos de alta temperatura. Escolher a Veteksemicon significa escolher a base de confiabilidade e desempenho para seus processos avançados de fabricação de semicondutores.
Bandeja epitaxial de silício monocristalino de revestimento SiC

Bandeja epitaxial de silício monocristalino de revestimento SiC

A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC é um acessório importante para o forno de crescimento epitaxial de silício monocristalino, garantindo poluição mínima e ambiente de crescimento epitaxial estável. A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek Semiconductor tem uma vida útil ultralonga e oferece uma variedade de opções de personalização. A VeTek Semiconductor espera se tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Susceptador de barril de revestimento CVD SiC

Susceptador de barril de revestimento CVD SiC

VeTek Semiconductor CVD SiC coating barrel susceptor is the core component of the barrel type epitaxial furnace.With the help of CVD SiC coating barrel susceptor, the quantity and quality of epitaxial growth are greatly improved.VeTek Semiconductor is a professional manufacturer and supplier of SiC Coated Barrel Susceptor, and is at the leading level in China and even in the world.VeTek O semicondutor espera estabelecer um relacionamento cooperativo próximo com você na indústria de semicondutores.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


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