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Endereço
Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
Informações gerais do produto
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Local de Origem: |
China |
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Marca: |
Meu rival |
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Número do modelo: |
Receptor EPI Parte-01 |
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Certificação: |
ISO9001 |
Termos comerciais do produto
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Quantidade mínima de pedido: |
Sujeito a negociação |
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Preço: |
Contato para cotação personalizada |
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Detalhes da embalagem: |
Pacote de exportação padrão |
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Prazo de entrega: |
Prazo de entrega: 30-45 dias após a confirmação do pedido |
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Condições de pagamento: |
T/T |
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Capacidade de fornecimento: |
100 unidades/mês |
✔ Aplicativo: Na busca pelo melhor desempenho e rendimento em processos epitaxiais de SiC, o Veteksemicon EPI Susceptor fornece excelente estabilidade térmica e uniformidade, tornando-se um suporte fundamental para melhorar o desempenho de dispositivos de potência e RF e reduzir custos gerais.
✔ Serviços que podem ser fornecidos: análise de cenário de aplicação do cliente, correspondência de materiais, solução de problemas técnicos.
✔ Perfil de companhia:A Veteksemicon possui 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com P&D e capacidade de produção, teste e verificação.
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projeto |
parâmetro |
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Material base |
Grafite isostática de alta pureza |
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Material de revestimento |
SiC CVD de alta pureza |
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Espessura do revestimento |
A personalização está disponível para atender aos requisitos do processo do cliente (valor típico: 100±20μm). |
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Pureza |
> 99,9995% (revestimento SiC) |
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Temperatura máxima de operação |
> 1650°C |
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Coeficiente de expansão térmica |
Boa combinação com wafers SiC |
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Rugosidade superficial |
Ra < 1,0 μm (ajustável mediante solicitação) |
1. Garanta a uniformidade máxima
Em processos epitaxiais de carboneto de silício, até mesmo flutuações de espessura em nível de mícron e falta de homogeneidade de dopagem impactam diretamente o desempenho e o rendimento do dispositivo final. O Susceptor Veteksemicon EPI atinge a distribuição ideal do campo térmico dentro da câmara de reação por meio de simulação termodinâmica precisa e projeto estrutural. Nossa seleção de um substrato de alta condutividade térmica, combinado com um processo exclusivo de tratamento de superfície, garante que as diferenças de temperatura em qualquer ponto da superfície do wafer sejam controladas dentro de uma faixa extremamente pequena, mesmo sob rotação de alta velocidade e ambientes de alta temperatura. O valor direto que isso traz é uma camada epitaxial altamente reprodutível, lote a lote, com excelente uniformidade, estabelecendo uma base sólida para a fabricação de chips de potência altamente consistentes e de alto desempenho.
2. Resistir ao desafio das altas temperaturas
Os processos epitaxiais de SiC normalmente requerem operação prolongada em temperaturas superiores a 1.500°C, representando um sério desafio para qualquer material. Veteksemicon Susceptor utiliza grafite prensada isosticamente com tratamento especial, cuja resistência à flexão em alta temperatura e resistência à fluência superam em muito as da grafite comum. Mesmo após centenas de horas de ciclos térmicos contínuos em alta temperatura, nosso produto mantém sua geometria inicial e resistência mecânica, prevenindo efetivamente o empenamento do wafer, deslizamento ou riscos de contaminação da cavidade do processo causados pela deformação da bandeja, garantindo fundamentalmente a continuidade e a segurança das atividades de produção.
3. Maximize a estabilidade do processo
Interrupções de produção e manutenção não planejada são grandes destruidores de custos na fabricação de wafers. A Veteksemicon considera a estabilidade do processo uma métrica central para o Susceptor. Nosso revestimento CVD SiC patenteado é denso, não poroso e possui uma superfície lisa espelhada. Isto não apenas reduz significativamente a liberação de partículas sob fluxo de ar de alta temperatura, mas também retarda significativamente a adesão de subprodutos da reação (como SiC policristalino) à superfície da bandeja. Isso significa que sua câmara de reação pode permanecer limpa por períodos mais longos, ampliando os intervalos entre a limpeza e a manutenção regulares, melhorando assim a utilização e o rendimento geral do equipamento.
4. Prolongue a vida útil
Como componente consumível, a frequência de substituição dos susceptores impacta diretamente nos custos operacionais de produção. A Veteksemicon estende a vida útil do produto através de uma abordagem tecnológica dupla: “otimização de substrato” e “aprimoramento de revestimento”. Um substrato de grafite de alta densidade e baixa porosidade retarda efetivamente a penetração e a corrosão do substrato pelos gases do processo; simultaneamente, nosso revestimento espesso e uniforme de SiC atua como uma barreira robusta, suprimindo significativamente a sublimação em altas temperaturas. Testes no mundo real mostram que, sob as mesmas condições de processo, os susceptores Veteksemicon apresentam uma taxa de degradação de desempenho mais lenta e uma vida útil efetiva mais longa, resultando em custos operacionais mais baixos por wafer.
5. Endosso de verificação da cadeia ecológica
A verificação da cadeia ecológica da Veteksemicon EPI Susceptor Part cobre matérias-primas até a produção, foi aprovada na certificação de padrão internacional e possui uma série de tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos campos de semicondutores e novas energias.
Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou arranjos de testes de amostra, entre em contato com nossa equipe de suporte técnico para explorar como a Veteksemicon pode melhorar a eficiência do seu processo.
Principais campos de aplicação
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Direção da aplicação |
Cenário típico |
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Eletrônica de Potência |
Dispositivos de potência como MOSFETs SiC e diodos Schottky usados na fabricação de veículos elétricos e acionamentos de motores industriais. |
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Comunicação por radiofrequência |
Camadas epitaxiais para o cultivo de dispositivos amplificadores de potência de radiofrequência GaN-on-SiC (RF HEMTs) para estações base 5G e radar. |
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Pesquisa e desenvolvimento de ponta |
Ele serve ao desenvolvimento de processos e verificação de materiais semicondutores e estruturas de dispositivos de banda larga de próxima geração. |
Armazém de produtos Meu rival
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