Receptor LED UV

A VeTek Semiconductor é um fabricante especializado em susceptores de LED UV, tem muitos anos de pesquisa, desenvolvimento e experiência em produção em susceptores de LED EPI e foi reconhecida por muitos clientes do setor.

LED, ou seja, diodo emissor de luz semicondutor, a natureza física de sua luminescência é que após a junção pn do semicondutor ser energizada, sob a ação do potencial elétrico, elétrons e buracos no material semicondutor são combinados para gerar fótons, de modo a alcançar a luminescência do semicondutor. Portanto, a tecnologia epitaxial é um dos alicerces e núcleo do LED, sendo também o principal fator decisivo para as características elétricas e ópticas do LED.

A tecnologia Epitaxy (EPI) refere-se ao crescimento de um material de cristal único em um substrato de cristal único com o mesmo arranjo de rede do substrato. Princípio básico: Em um substrato aquecido à temperatura apropriada (principalmente substrato de safira, substrato de SiC e substrato de Si), as substâncias gasosas índio (In), gálio (Ga), alumínio (Al), fósforo (P) são controladas até a superfície do substrato para crescer um filme de cristal único específico. Atualmente, a tecnologia de crescimento da folha epitaxial de LED utiliza principalmente o método MOCVD (deposição meteorológica química de metal orgânico).

Material de substrato epitaxial de LED

1. LED vermelho e amarelo:

GaP e GaAs são substratos comumente usados ​​para LEDs vermelhos e amarelos. Substratos GaP são usados ​​no método de epitaxia em fase líquida (LPE), resultando em uma ampla faixa de comprimento de onda de 565-700 nm. Para o método de epitaxia em fase gasosa (VPE), camadas epitaxiais de GaAsP são cultivadas, produzindo comprimentos de onda entre 630-650 nm. Ao usar MOCVD, os substratos de GaAs são normalmente empregados com o crescimento de estruturas epitaxiais AlInGaP. 

Isso ajuda a superar as desvantagens de absorção de luz dos substratos de GaAs, embora introduza incompatibilidade de rede, exigindo camadas tampão para o crescimento de estruturas InGaP e AlGaInP.

VeTek Semiconductor fornece susceptor LED EPI com revestimento SiC, revestimento TaC:

Receptor LED EPI VEECO Revestimento TaC usado no susceptor LED EPI

2. LED azul e verde:

 ● Substrato GaN: O cristal único GaN é o substrato ideal para o crescimento de GaN, melhorando a qualidade do cristal, a vida útil do chip, a eficiência luminosa e a densidade de corrente. Contudo, a sua difícil preparação limita a sua aplicação.

Substrato de Safira: Safira (Al2O3) é o substrato mais comum para o crescimento de GaN, oferecendo boa estabilidade química e sem absorção de luz visível. No entanto, ele enfrenta desafios com condutividade térmica insuficiente na operação de chips de potência de alta corrente.

● Substrato SiC: SiC é outro substrato utilizado para o crescimento do GaN, ocupando o segundo lugar em participação de mercado. Fornece boa estabilidade química, condutividade elétrica, condutividade térmica e nenhuma absorção de luz visível. Porém, possui preços mais elevados e qualidade inferior em relação à safira. O SiC não é adequado para LEDs UV abaixo de 380 nm. A excelente condutividade elétrica e térmica do SiC elimina a necessidade de ligação flip-chip para dissipação de calor em LEDs GaN do tipo potência em substratos de safira. A estrutura do eletrodo superior e inferior é eficaz para dissipação de calor em dispositivos LED GaN do tipo potência.

Receptor LED Epitaxia Susceptor MOCVD com revestimento TaC

3. EPI LED UV profundo:

Na epitaxia LED ultravioleta profunda (DUV), LED UV profundo ou Epitaxia LED DUV, os materiais químicos comumente usados ​​​​como substratos incluem nitreto de alumínio (AlN), carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN). Esses materiais possuem boa condutividade térmica, isolamento elétrico e qualidade de cristal, tornando-os adequados para aplicações DUV LED em ambientes de alta potência e alta temperatura. A escolha do material do substrato depende de fatores como requisitos de aplicação, processos de fabricação e considerações de custo.

Susceptor de LED UV profundo revestido de SiC Susceptor de LED UV profundo revestido com TaC