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Produto de veteksemicon, orevestimento de carboneto de tântalo (tac)Produtos para o processo de crescimento de cristal único SiC, aborda os desafios associados à interface de crescimento dos cristais de carboneto de silício (SIC), particularmente os defeitos abrangentes que ocorrem na borda do cristal. Ao aplicar o revestimento TAC, nosso objetivo é melhorar a qualidade do crescimento de cristais e aumentar a área efetiva do centro do cristal, o que é crucial para alcançar um crescimento rápido e espesso.
O revestimento TAC é uma solução tecnológica central para o crescimento de alta qualidadeSic processo de crescimento de cristal único. Desenvolvemos com sucesso uma tecnologia de revestimento TAC usando deposição de vapor químico (CVD), que atingiu um nível internacionalmente avançado. O TAC possui propriedades excepcionais, incluindo um alto ponto de fusão de até 3880 ° C, excelente resistência mecânica, dureza e resistência ao choque térmico. Ele também exibe boa inércia química e estabilidade térmica quando exposto a altas temperaturas e substâncias como amônia, hidrogênio e vapor contendo silício.
Vekekemiconrevestimento de carboneto de tântalo (tac)Oferece uma solução para abordar os problemas relacionados à borda no processo de crescimento de cristais de SiC, melhorando a qualidade e a eficiência do processo de crescimento. Com nossa tecnologia avançada de revestimento TAC, pretendemos apoiar o desenvolvimento da indústria de semicondutores de terceira geração e reduzir a dependência de materiais importantes importados.
O cadinho revestido de TAC, suporte de semente com revestimento TAC, anel da guia de revestimento TAC são peças importantes no forno de cristal único SiC e Ain pelo método PVT.
● Resistência à alta temperatura
● Alta pureza, não poluirá matérias -primas SiC e cristais únicos SiC.
● Resistente a Al Steam e N₂corrosion
● Alta temperatura eutética (com ALN) para reduzir o ciclo de preparação de cristais.
● Reciclável (até 200H), melhora a sustentabilidade e a eficiência da preparação de tais cristais únicos.
Propriedades físicas do revestimento TAC | |
Densidade | 14.3 (g/cm³) |
Emissividade específica | 0.3 |
Coeficiente de expansão térmica | 6.3 10-6/K |
Dureza (hk) | 2000 HK |
Resistência | 1 × 10-5Ohm*cm |
Estabilidade térmica | <2500 ℃ |
Mudanças de tamanho de grafite | -10 ~ -20um |
Espessura do revestimento | ≥20um valor típico (35um ± 10um) |
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