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Grafite porosa revestida com carboneto de tântalo (TaC) para crescimento de cristal de SiC
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Grafite porosa revestida com carboneto de tântalo (TaC) para crescimento de cristal de SiC

A grafite porosa revestida com carboneto de tântalo VeTek Semiconductor é a mais recente inovação em tecnologia de crescimento de cristal de carboneto de silício (SiC). Projetado para campos térmicos de alto desempenho, este material compósito avançado fornece uma solução superior para gerenciamento de fase de vapor e controle de defeitos no processo PVT (Transporte Físico de Vapor).

A grafite porosa revestida com carboneto de tântalo VeTek Semiconductor foi projetada para otimizar o ambiente de crescimento do cristal SiC por meio de quatro funções técnicas principais:


Filtragem de Componentes de Vapor: A estrutura porosa precisa atua como um filtro de alta pureza, garantindo que apenas as fases de vapor desejadas contribuam para a formação de cristais, melhorando assim a pureza geral.

Controle de temperatura de precisão: O revestimento TaC melhora a estabilidade térmica e a condutividade, permitindo ajustes mais precisos dos gradientes de temperatura locais e melhor controle sobre as taxas de crescimento.

Direção de fluxo guiado: O projeto estrutural facilita um fluxo guiado de substâncias, garantindo que os materiais sejam entregues exatamente onde são necessários para promover um crescimento uniforme.

Controle Eficaz de Vazamentos: Nosso produto oferece excelentes propriedades de vedação para manter a integridade e estabilidade da atmosfera de crescimento.


Propriedades físicas do revestimento TaC

Propriedades físicas do revestimento TaC
Densidade do revestimento TaC
14,3 (g/cm³)
Emissividade específica
0.3
Coeficiente de expansão térmica
6,3*10-6/K
Dureza do revestimento TaC (HK)
2.000 Hong Kong
Resistência
1×10-5Ohm*cm
Estabilidade térmica
<2500℃
Mudanças no tamanho do grafite
-10~-20um
Espessura do revestimento
≥20um valor típico (35um±10um)

Comparação com Grafite Tradicional

Item de comparação
Grafite Porosa Tradicional
Carboneto de tântalo poroso (TaC)
Ambiente de Si de alta temperatura
Propenso a corrosão e derramamento
Estável, quase sem reação
Controle de Partículas de Carbono
Pode se tornar uma fonte de poluição
Filtração de alta eficiência, sem poeira
Vida útil
Curto, requer substituição frequente
Ciclo de manutenção significativamente estendido

Revestimento de carboneto de tântalo (TaC) em uma seção transversal microscópica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Impacto da Aplicação: Minimização de Defeitos no Processo PVT

Optimizing SiC Crystal Quality


No processo PVT (Transporte Físico de Vapor), a substituição da grafite convencional pela grafite porosa revestida com TaC da VeTek aborda diretamente os defeitos comuns mostrados no diagrama:


Elimitando inclusões de carbono: Ao atuar como uma barreira às partículas sólidas, elimina efetivamente as inclusões de carbono e reduz os microtubos comuns nos cadinhos tradicionais.

Preservando a integridade estrutural: Previne a formação de poços de corrosão e microtúbulos durante o crescimento de cristal único de SiC de ciclo longo.

Maior rendimento e qualidade: Em comparação com materiais tradicionais, os componentes revestidos com TaC garantem um ambiente de crescimento mais limpo, resultando em qualidade de cristal e rendimento de produção significativamente maiores.




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