Mapeamento de amostra

Com base na amostra física fornecida pelo cliente (mesmo que seja uma peça usada desgastada ou fraturada), oferecemos um serviço completo que vai desde a engenharia reversa da estrutura física até a caracterização físico-química em nível de material. Aproveitando equipamentos de inspeção de alta precisão de nível semicondutor, quantificamos com precisão estruturas geométricas 3D complexas, propriedades de interface de revestimento/substrato e parâmetros físicos de materiais, garantindo que o produto de engenharia reversa atenda ou excede os padrões OEM em ajuste físico, compatibilidade de processo e vida útil (Substituição Form-Fit-Function).

O que medimos (entregas técnicas):

• Tolerâncias dimensionais e geométricas:Utilizando máquinas de medição por coordenadas (CMM) de alta precisão e scanners ópticos 3D, realizamos modelagem de nuvens de pontos em tamanho real e reconstrução de estruturas de cavidades complexas e furos de montagem/localização, alcançando precisão em nível de mícron.
• Micromorfologia e planicidade da superfície:Empregando interferômetros de luz branca e perfilômetros ópticos para avaliar a rugosidade superficial (Ra) em escala nanométrica e a planicidade de grandes áreas, atendendo aos requisitos de manuseio de wafer e vedação de câmara.
• Micro-recursos do Edge:Mapeamento de alta ampliação de raios R de borda e microperfis de chanfro para otimizar a morfologia de subida do revestimento e evitar concentração de tensão em cantos afiados que podem causar delaminação em alta temperatura.
• Substrato de grafite e análise de correspondência térmica:Avaliação da densidade do substrato de grafite de alta pureza, tamanho do grão e coeficiente de expansão térmica (CTE) para garantir a correspondência de tensão térmica entre o substrato e o revestimento CVD.
• Seção transversal de revestimento e qualidade de colagem de interface:Análise não destrutiva por XRF e SEM de seção transversal metalográfica para medir espessura absoluta, uniformidade radial do revestimento CVD e profundidade de penetração da interface.
• Estrutura de fases e análise de microcristais:Avaliação por XRD da pureza da fase cúbica (β-SiC) do CVD SiC; avaliação qualitativa da estequiometria química e características da estrutura cristalina do CVD TaC.

Caso real e benefícios do cliente (experiência):

Um cliente de componente de gravação semicondutor de 12 polegadas:Fornecimento OEM descontinuado; apenas uma peça usada desgastada estava disponível. Por meio de modelagem reversa CMM + análise de seção transversal de revestimento SEM, concluímos o desenvolvimento de peças substitutas e testes na ferramenta em 2 meses sem quaisquer desenhos originais, alcançando 100% de ajuste de instalação. Em última análise, o ciclo de aquisição de componentes foi reduzido do prazo de importação original de 6 meses para 2 meses, o custo unitário de aquisição caiu 42% e este modelo foi fornecido de forma estável para mais de 30 lotes.

Revestimento de carboneto de silício (SiC) na seção transversal do revestimento SEM

Perguntas frequentes

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