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Estrada Wangda, rua Ziyang, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
Os produtores de substrato de SiC geralmente usam um design de cadinho com um cilindro de grafite poroso para o processo de campo quente. Este design aumenta a área de evaporação e o volume de carga. Um novo processo foi desenvolvido para resolver defeitos de cristal, estabilizar a transferência de massa e melhorar a qualidade do cristal de SiC. Incorpora um método de fixação de bandeja de cristal sem sementes para expansão térmica e alívio de tensões. No entanto, a oferta limitada de grafite para cadinho e grafite porosa no mercado coloca desafios à qualidade e ao rendimento dos monocristais de SiC.
1.Tolerância ao ambiente de alta temperatura - O produto pode suportar o ambiente de 2500 graus Celsius, demonstrando excelente resistência ao calor.
2. Controle estrito de porosidade - VeTek Semiconductor mantém controle rígido de porosidade, garantindo desempenho consistente.
3. Pureza ultra-alta - O material de grafite poroso utilizado atinge um alto nível de pureza por meio de processos de purificação rigorosos.
4.Excelente capacidade de ligação de partículas de superfície - VeTek Semiconductor tem excelente capacidade de ligação de partículas de superfície e resistência à adesão de pó.
5. Transporte, difusão e uniformidade de gás - A estrutura porosa do grafite facilita o transporte e difusão eficiente de gás, resultando em melhor uniformidade de gases e partículas.
6.Controle de qualidade e estabilidade - VeTek Semiconductor enfatiza alta pureza, baixo teor de impurezas e estabilidade química para garantir qualidade no crescimento de cristais.
7.Controle de temperatura e uniformidade - A condutividade térmica da grafite porosa permite distribuição uniforme de temperatura, reduzindo tensões e defeitos durante o crescimento.
8. Difusão de soluto aprimorada e taxa de crescimento - A estrutura porosa promove distribuição uniforme de soluto, aumentando a taxa de crescimento e uniformidade dos cristais.
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