Grafite porosa

Os produtores de substrato SiC geralmente usam um design cadinho com um cilindro de grafite poroso para o processo de campo quente. Esse design aumenta a área de evaporação e o volume de carga. Um novo processo foi desenvolvido para lidar com defeitos cristalinos, estabilizar a transferência de massa e aumentar a qualidade do cristal SiC. Ele incorpora um método de fixação da bandeja de cristal sem sementes para expansão térmica e alívio do estresse. No entanto, o suprimento limitado de mercado de grafite cadinho e grafite porosa coloca desafios à qualidade e rendimento de cristais únicos do SiC.

Principais recursos da grafite porosa de semicondutores vetek:

1. Tolerância do ambiente de alta temperatura - O produto pode suportar o ambiente de 2500 graus Celsius, demonstrando excelente resistência ao calor.

2. Controle de porosidade do ESTRITO - O VETEK SEMICONDUCTOR mantém um controle rígido de porosidade, garantindo um desempenho consistente.

3.Ultra -alta pureza - O material de grafite poroso utilizado alcança um alto nível de pureza através de processos de purificação rigorosos.

4. Excelente capacidade de ligação de partículas de superfície - o semicondutor vetek possui excelente capacidade de ligação de partículas de superfície e resistência à adesão em pó.

5. Transporte, difusão e uniformidade - A estrutura porosa da grafite facilita o transporte e difusão de gás eficientes, resultando em uma melhor uniformidade de gases e partículas.

6. Controle e estabilidade da qualidade - O semicondutor de vetek enfatiza alta pureza, baixo teor de impureza e estabilidade química para garantir a qualidade no crescimento de cristais.

7. Controle e uniformidade da temperatura - A condutividade térmica da grafite porosa permite a distribuição uniforme da temperatura, reduzindo o estresse e os defeitos durante o crescimento.

8. Antecedores de difusão de soluto e taxa de crescimento - A estrutura porosa promove a distribuição de soluto uniforme, aumentando a taxa de crescimento e a uniformidade dos cristais.