Anel guia de grafite poroso

Principais vantagens do produto

1. Pureza ultra-alta e garantia de baixo defeito

Adota um processo de purificação de alta temperatura a vácuo de 3000 ℃ para remover profundamente impurezas não metálicas, como oxigênio e nitrogênio, aumentando a pureza do produto para ≥99,9995%. Ele elimina defeitos cristalinos induzidos por impurezas (por exemplo, microtúbulos, deslocamentos) da fonte, garantindo a consistência e estabilidade das propriedades elétricas dos cristais únicos de SiC e estabelecendo uma base sólida para o crescimento de cristais de alta qualidade.

2. Estabilidade de temperatura ultra-alta e regulação precisa do campo térmico

Pode suportar temperaturas extremamente altas de 2.200 ℃ em um ambiente de argônio ou vácuo, operando de forma contínua e estável por mais de 1.000 horas sem amolecimento ou deformação. O produto possui baixo coeficiente de expansão térmica, o que pode efetivamente evitar rachaduras no material causadas por estresse térmico. Ele suporta design de distribuição de gradiente de porosidade (15-30%) e otimiza o tamanho dos poros (10-200μm) combinado com a tecnologia de simulação CFD (Computational Fluid Dynamics), controlando a flutuação do gradiente de temperatura dentro de ±3°C e melhorando significativamente a uniformidade do campo térmico e a consistência do crescimento do cristal.

3. Adaptação personalizada e satisfação com o cenário completo

• Adaptação de formas geométricas: Pode processar com precisão formas complexas, como barris anulares e estruturas de blindagem multicamadas, de acordo com as estruturas do forno dos clientes para obter combinação e instalação perfeitas.
• Personalização do processo de superfície: Fornece serviços personalizados de tratamento de superfície, como polimento de ultraprecisão e revestimentos especiais, aumentando significativamente a resistência à corrosão e a vida útil do produto.

4. Desempenho verificado e eficiência atualizada

• Quando usado como componente central do campo térmico no processo de cristalização PVT SiC, foi verificado em cenários práticos:
• A taxa de crescimento do cristal aumenta de 15% a 20% em comparação com os produtos tradicionais de grafite, encurtando significativamente o ciclo de produção.
• O rendimento dos wafers de cristal único SiC de 4 polegadas excede 90%, reduzindo efetivamente os custos de produção.
• O ciclo de manutenção dos equipamentos é ampliado dos convencionais 3 meses para 6 meses, reduzindo a frequência de paradas de manutenção e melhorando a eficiência da produção.
  
  

Cenários de aplicação

• Conjunto do forno de crescimento PVT: Serve como componente central para sublimação de material SiC e crescimento de cristal, fornecendo distribuição de campo térmico estável e uniforme para garantir o progresso suave do processo de cristalização.
• Componente de blindagem de campo térmico: A estrutura porosa exclusiva pode amortecer efetivamente o estresse térmico, reduzir o desgaste do equipamento e prolongar a vida útil geral do equipamento.
• Acessório de suporte de cristal de semente: Possui alta resistência mecânica para suportar de forma estável os cristais de semente, garantindo a precisão do crescimento direcional do cristal.
• Camada de difusão de gás: Otimiza a eficiência da transferência da fase gasosa, promove a sublimação e deposição uniforme de matérias-primas e melhora ainda mais a qualidade do cristal único e a taxa de crescimento.

Parâmetros Técnicos

Principais destaques competitivos

• Desempenho extremo em altas temperaturas: Mantém a estabilidade estrutural a 2.200 ℃ sem amolecimento ou deformação, suportando operação contínua por mais de 1.000 horas para atender aos requisitos extremos do processo.
• Solução de campo térmico personalizada: Baseia-se na tecnologia de simulação CFD para otimizar o design do gradiente de poros, atendendo com precisão às necessidades do processo dos clientes e melhorando a uniformidade do cristal e o rendimento do produto.
• Serviço de resposta rápida: Fornece serviços de teste de correspondência de parâmetros de processo e soluções de protótipo em 72 horas, ajudando os clientes a acelerar os processos de P&D e produção.