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A evolução do CVD-SiC de revestimentos de película fina para materiais a granel10 2026-04

A evolução do CVD-SiC de revestimentos de película fina para materiais a granel

Materiais de alta pureza são essenciais para a fabricação de semicondutores. Esses processos envolvem calor extremo e produtos químicos corrosivos. CVD-SiC (Carbeto de Silício por Deposição de Vapor Químico) fornece a estabilidade e resistência necessárias. É agora a principal escolha para peças de equipamentos avançados devido à sua alta pureza e densidade.
O gargalo invisível no crescimento do SiC: Por que a matéria-prima 7N Bulk CVD SiC está substituindo o pó tradicional07 2026-04

O gargalo invisível no crescimento do SiC: Por que a matéria-prima 7N Bulk CVD SiC está substituindo o pó tradicional

No mundo dos semicondutores de carboneto de silício (SiC), a maior parte dos holofotes está nos reatores epitaxiais de 8 polegadas ou nas complexidades do polimento de wafer. No entanto, se rastrearmos a cadeia de abastecimento até ao início – dentro do forno de Transporte Físico de Vapor (PVT) – uma “revolução material” fundamental está a ocorrer silenciosamente.
Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração20 2026-03

Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração

Na era da rápida evolução dos MEMS (sistemas microeletromecânicos), selecionar o material piezoelétrico certo é uma decisão decisiva para o desempenho do dispositivo. Os wafers de película fina PZT (Titanato de Zirconato de Chumbo) surgiram como a principal escolha em relação a alternativas como AlN (Nitreto de Alumínio), oferecendo acoplamento eletromecânico superior para sensores e atuadores de última geração.
Susceptores de alta pureza: a chave para o rendimento de wafer semicon personalizado em 202614 2026-03

Susceptores de alta pureza: a chave para o rendimento de wafer semicon personalizado em 2026

À medida que a fabricação de semicondutores continua a evoluir em direção a nós de processos avançados, maior integração e arquiteturas complexas, os fatores decisivos para o rendimento do wafer estão passando por uma mudança sutil. Para a fabricação customizada de wafers semicondutores, o ponto de avanço em termos de rendimento não reside mais apenas em processos essenciais como litografia ou gravação; susceptores de alta pureza estão se tornando cada vez mais a variável subjacente que afeta a estabilidade e consistência do processo.
Revestimento SiC vs. TaC: a proteção definitiva para susceptores de grafite em semiprocessamento de energia em alta temperatura05 2026-03

Revestimento SiC vs. TaC: a proteção definitiva para susceptores de grafite em semiprocessamento de energia em alta temperatura

No mundo dos semicondutores de banda larga (WBG), se o processo de fabricação avançado é a “alma”, o susceptor de grafite é a “espinha dorsal” e seu revestimento superficial é a “pele” crítica.
O valor crítico da planarização químico-mecânica (CMP) na fabricação de semicondutores de terceira geração06 2026-02

O valor crítico da planarização químico-mecânica (CMP) na fabricação de semicondutores de terceira geração

No mundo de alto risco da eletrónica de potência, o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de gálio (GaN) estão a liderar uma revolução – dos veículos elétricos (VE) à infraestrutura de energia renovável. No entanto, a lendária dureza e inércia química destes materiais apresentam um formidável gargalo de fabricação.
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