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Como resolver a alta variação de bolso a bolso em susceptores de grafite epitaxia de silício multibolsos?03 2026-08

Como resolver a alta variação de bolso a bolso em susceptores de grafite epitaxia de silício multibolsos?

Abordando a variação de espessura de 1,4% de bolsa a bolsa em susceptores de grafite epitaxia de silício multibolsas, a VeTek Semi melhorou o nivelamento do susceptor para <0,08 mm e reduziu a variação para 0,69% por meio de simulação de campo de fluxo CVD e revestimento de SiC de ultraprecisão, aumentando o rendimento do wafer.
Análise de fissuração de susceptor de grafite revestido com SiC MOCVD e estudo de caso de otimização de tensão térmica30 2026-07

Análise de fissuração de susceptor de grafite revestido com SiC MOCVD e estudo de caso de otimização de tensão térmica

Saiba como a Vetek eliminou rachaduras radiais em susceptores de grafite revestidos com SiC MOCVD de grande porte. O redesenho do amortecedor de tensão estrutural e a correspondência do CTE aumentaram a vida útil em mais de 300%.
De 4 a 8 polegadas: uma década de crescimento de semicondutores SiC25 2026-07

De 4 a 8 polegadas: uma década de crescimento de semicondutores SiC

Uma década de evolução do SiC — desde os primeiros desafios de comercialização de 4 polegadas até a atual transição do wafer de 8 polegadas. Descubra como os revestimentos CVD SiC, os materiais Solid SiC e TaC permitem a fabricação confiável de semicondutores.
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