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Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração20 2026-03

Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração

Na era da rápida evolução dos MEMS (sistemas microeletromecânicos), selecionar o material piezoelétrico certo é uma decisão decisiva para o desempenho do dispositivo. Os wafers de película fina PZT (Titanato de Zirconato de Chumbo) surgiram como a principal escolha em relação a alternativas como AlN (Nitreto de Alumínio), oferecendo acoplamento eletromecânico superior para sensores e atuadores de última geração.
Susceptores de alta pureza: a chave para o rendimento de wafer semicon personalizado em 202614 2026-03

Susceptores de alta pureza: a chave para o rendimento de wafer semicon personalizado em 2026

À medida que a fabricação de semicondutores continua a evoluir em direção a nós de processos avançados, maior integração e arquiteturas complexas, os fatores decisivos para o rendimento do wafer estão passando por uma mudança sutil. Para a fabricação customizada de wafers semicondutores, o ponto de avanço em termos de rendimento não reside mais apenas em processos essenciais como litografia ou gravação; susceptores de alta pureza estão se tornando cada vez mais a variável subjacente que afeta a estabilidade e consistência do processo.
Revestimento SiC vs. TaC: a proteção definitiva para susceptores de grafite em semiprocessamento de energia em alta temperatura05 2026-03

Revestimento SiC vs. TaC: a proteção definitiva para susceptores de grafite em semiprocessamento de energia em alta temperatura

No mundo dos semicondutores de banda larga (WBG), se o processo de fabricação avançado é a “alma”, o susceptor de grafite é a “espinha dorsal” e seu revestimento superficial é a “pele” crítica.
O valor crítico da planarização químico-mecânica (CMP) na fabricação de semicondutores de terceira geração06 2026-02

O valor crítico da planarização químico-mecânica (CMP) na fabricação de semicondutores de terceira geração

No mundo de alto risco da eletrónica de potência, o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de gálio (GaN) estão a liderar uma revolução – dos veículos elétricos (VE) à infraestrutura de energia renovável. No entanto, a lendária dureza e inércia química destes materiais apresentam um formidável gargalo de fabricação.
A Chave para a Eficiência e Otimização de Custos: Uma Análise das Estratégias de Seleção e Controle de Estabilidade de Polpa CMP30 2026-01

A Chave para a Eficiência e Otimização de Custos: Uma Análise das Estratégias de Seleção e Controle de Estabilidade de Polpa CMP

Na fabricação de semicondutores, o processo de Planarização Química-Mecânica (CMP) é o estágio central para alcançar a planarização da superfície do wafer, determinando diretamente o sucesso ou o fracasso das etapas subsequentes da litografia. Como consumível crítico no CMP, o desempenho da pasta de polimento é o fator final no controle da taxa de remoção (TR), minimizando defeitos e melhorando o rendimento geral.
​Por dentro da fabricação de anéis de foco sólidos CVD SiC: do grafite às peças de alta precisão23 2026-01

​Por dentro da fabricação de anéis de foco sólidos CVD SiC: do grafite às peças de alta precisão

No mundo de alto risco da fabricação de semicondutores, onde coexistem precisão e ambientes extremos, os anéis de foco de carboneto de silício (SiC) são indispensáveis. Conhecidos por sua excepcional resistência térmica, estabilidade química e resistência mecânica, esses componentes são essenciais para processos avançados de gravação a plasma. O segredo por trás de seu alto desempenho está na tecnologia Solid CVD (Chemical Vapor Deposition). Hoje, levamos você aos bastidores para explorar a rigorosa jornada de fabricação – desde um substrato de grafite bruto até um “herói invisível” de alta precisão da fábrica.
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