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No mundo em constante evolução dos eletrodomésticos e eletrodomésticos de cozinha, um produto ganhou recentemente atenção significativa pela sua inovação e aplicação prática: o balde térmico de quartzo

Os produtos de quartzo são amplamente utilizados no processo de fabricação de semicondutores devido à sua alta pureza, resistência de alta temperatura e forte estabilidade química.

Os fornos de crescimento de cristal de carboneto de silício (SIC) desempenham um papel vital na produção de bolachas SIC de alto desempenho para dispositivos semicondutores de próxima geração. No entanto, o processo de crescimento de cristais SiC de alta qualidade apresenta desafios significativos. Desde o gerenciamento de gradientes térmicos extremos até a redução de defeitos de cristal, garantindo crescimento uniforme e controlando os custos de produção, cada etapa requer soluções avançadas de engenharia. Este artigo analisará os desafios técnicos dos fornos de crescimento de cristais SiC de múltiplas perspectivas.

O Smart Cut é um processo avançado de fabricação de semicondutores com base no implante de íons e na remoção de wafer, projetada especificamente para a produção de bolachas ultrafinas e altamente uniformes de 3C-SIC (carboneto de silício cúbico). Ele pode transferir materiais de cristal ultrafinos de um substrato para outro, quebrando assim as limitações físicas originais e alterando toda a indústria do substrato.

Na preparação de substratos de carboneto de silício de alta e alto rendimento, o núcleo requer controle preciso da temperatura de produção por bons materiais de campo térmico. Atualmente, os kits cadinhos de campo térmico usados ​​principalmente são componentes estruturais de grafite de alta pureza, cujas funções são para aquecer o pó de carbono fundido e o pó de silício, além de manter o calor.

Quando você vê os semicondutores de terceira geração, certamente se perguntará o que eram as primeiras e segundas gerações. A "geração" aqui é classificada com base nos materiais utilizados na fabricação de semicondutores.