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De 4 a 8 polegadas: uma década de crescimento de semicondutores SiC25 2026-07

De 4 a 8 polegadas: uma década de crescimento de semicondutores SiC

Uma década de evolução do SiC — desde os primeiros desafios de comercialização de 4 polegadas até a atual transição do wafer de 8 polegadas. Descubra como os revestimentos CVD SiC, os materiais Solid SiC e TaC permitem a fabricação confiável de semicondutores.
Por que o susceptor de grafite revestido com SiC é essencial para a epitaxia de semicondutores17 2026-07

Por que o susceptor de grafite revestido com SiC é essencial para a epitaxia de semicondutores

Saiba como os susceptores de grafite revestidos com SiC CVD melhoram o crescimento epitaxial melhorando a uniformidade térmica, reduzindo a contaminação e prolongando a vida útil dos componentes na fabricação de SiC, GaN, LED e semicondutores de silício.
Por que os aquecedores de grafite revestidos com TaC estão surgindo como o futuro da epitaxia GaN MOCVD10 2026-07

Por que os aquecedores de grafite revestidos com TaC estão surgindo como o futuro da epitaxia GaN MOCVD

Descubra como os aquecedores de grafite revestidos com TaC melhoram a uniformidade da temperatura, reduzem o consumo de energia e prolongam a vida útil na epitaxia GaN MOCVD em comparação com os aquecedores convencionais revestidos com pBN.
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