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Revestimento de carboneto de silício

A VeTek Semiconductor é especializada na produção de produtos de revestimento de carboneto de silício ultrapuros. Esses revestimentos são projetados para serem aplicados em grafite purificado, cerâmica e componentes de metal refratário.


Nossos revestimentos de alta pureza são direcionados principalmente para uso nas indústrias de semicondutores e eletrônicos. Eles servem como uma camada protetora para transportadores de wafers, susceptores e elementos de aquecimento, protegendo-os de ambientes corrosivos e reativos encontrados em processos como MOCVD e EPI. Esses processos são essenciais para o processamento de wafers e fabricação de dispositivos. Além disso, nossos revestimentos são adequados para aplicações em fornos a vácuo e aquecimento de amostras, onde são encontrados ambientes de alto vácuo, reativos e de oxigênio.


Na VeTek Semiconductor, oferecemos uma solução abrangente com nossos recursos avançados de oficina mecânica. Isso nos permite fabricar os componentes básicos usando grafite, cerâmica ou metais refratários e aplicar os revestimentos cerâmicos SiC ou TaC internamente. Também fornecemos serviços de revestimento para peças fornecidas pelo cliente, garantindo flexibilidade para atender diversas necessidades.


Nossos produtos de revestimento de carboneto de silício são amplamente utilizados em epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, processo RTP/RTA, processo de gravação, processo de gravação ICP/PSS, processo de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e UV profundo LED etc., que é adaptado a equipamentos LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI e assim por diante.


Peças do reator que podemos fazer:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Revestimento de carboneto de silício com várias vantagens exclusivas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Parâmetro de revestimento de carboneto de silício semicondutor VeTek

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento SiC 3,21g/cm³
Revestimento SiCDureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão 2~10μm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de Sublimação 2700°C
Resistência Flexural 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica 300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



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Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

Câmara do reator epitaxial revestida com SiC

A câmara do reator epitaxial revestido com SiC da Veteksemicon é um componente central projetado para processos exigentes de crescimento epitaxial de semicondutores. Utilizando deposição química de vapor avançada (CVD), este produto forma um revestimento de SiC denso e de alta pureza em um substrato de grafite de alta resistência, resultando em estabilidade superior em altas temperaturas e resistência à corrosão. Ele resiste efetivamente aos efeitos corrosivos dos gases reagentes em ambientes de processo de alta temperatura, suprime significativamente a contaminação por partículas, garante qualidade consistente do material epitaxial e alto rendimento, e estende substancialmente o ciclo de manutenção e a vida útil da câmara de reação. É uma escolha fundamental para melhorar a eficiência e a confiabilidade da fabricação de semicondutores de banda larga, como SiC e GaN.
Peças do receptor EPI

Peças do receptor EPI

No processo central de crescimento epitaxial de carboneto de silício, a Veteksemicon entende que o desempenho do susceptor determina diretamente a qualidade e a eficiência de produção da camada epitaxial. Nossos susceptores EPI de alta pureza, projetados especificamente para o campo de SiC, utilizam um substrato especial de grafite e um denso revestimento CVD de SiC. Com sua estabilidade térmica superior, excelente resistência à corrosão e taxa de geração de partículas extremamente baixa, eles garantem espessura incomparável e uniformidade de dopagem para os clientes, mesmo em ambientes de processos severos de alta temperatura. Escolher a Veteksemicon significa escolher a base de confiabilidade e desempenho para seus processos avançados de fabricação de semicondutores.
Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM

Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM

O susceptor de grafite revestido com SiC Veteksemicon para ASM é um componente transportador central em processos epitaxiais de semicondutores. Este produto utiliza nossa tecnologia proprietária de revestimento de carboneto de silício pirolítico e processos de usinagem de precisão para garantir desempenho superior e uma vida útil ultralonga em ambientes de processos corrosivos e de alta temperatura. Compreendemos profundamente os rigorosos requisitos dos processos epitaxiais em termos de pureza do substrato, estabilidade térmica e consistência, e estamos comprometidos em fornecer aos clientes soluções estáveis ​​e confiáveis ​​que melhorem o desempenho geral do equipamento.
Anel de foco de carboneto de silício

Anel de foco de carboneto de silício

O anel de foco Veteksemicon foi projetado especificamente para equipamentos exigentes de gravação de semicondutores, especialmente aplicações de gravação de SiC. Montado ao redor do mandril eletrostático (ESC), próximo ao wafer, sua função principal é otimizar a distribuição do campo eletromagnético dentro da câmara de reação, garantindo ação de plasma uniforme e focada em toda a superfície do wafer. Um anel de foco de alto desempenho melhora significativamente a uniformidade da taxa de gravação e reduz os efeitos de borda, aumentando diretamente o rendimento do produto e a eficiência da produção.
Placa transportadora de carboneto de silício para gravação em LED

Placa transportadora de carboneto de silício para gravação em LED

A placa transportadora de carboneto de silício Veteksemicon para gravação de LED, projetada especificamente para a fabricação de chips de LED, é um consumível central no processo de gravação. Feito de carboneto de silício de alta pureza sinterizado com precisão, oferece resistência química excepcional e estabilidade dimensional em altas temperaturas, resistindo efetivamente à corrosão de ácidos, bases e plasma fortes. Suas propriedades de baixa contaminação garantem altos rendimentos para wafers epitaxiais de LED, enquanto sua durabilidade, que excede em muito a dos materiais tradicionais, ajuda os clientes a reduzir os custos operacionais gerais, tornando-o uma escolha confiável para melhorar a eficiência e a consistência do processo de gravação.
Anel de foco SiC sólido

Anel de foco SiC sólido

O anel de foco sólido de SiC Veteksemi melhora significativamente a uniformidade da gravação e a estabilidade do processo, controlando com precisão o campo elétrico e o fluxo de ar na borda do wafer. É amplamente utilizado em processos de gravação de precisão para silício, dielétricos e materiais semicondutores compostos e é um componente chave para garantir o rendimento da produção em massa e a operação confiável do equipamento a longo prazo.
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