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Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM
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Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM

O susceptor de grafite revestido com SiC Veteksemicon para ASM é um componente transportador central em processos epitaxiais de semicondutores. Este produto utiliza nossa tecnologia proprietária de revestimento de carboneto de silício pirolítico e processos de usinagem de precisão para garantir desempenho superior e uma vida útil ultralonga em ambientes de processos corrosivos e de alta temperatura. Compreendemos profundamente os rigorosos requisitos dos processos epitaxiais em termos de pureza do substrato, estabilidade térmica e consistência, e estamos comprometidos em fornecer aos clientes soluções estáveis ​​e confiáveis ​​que melhorem o desempenho geral do equipamento.

Informações gerais do produto


Local de Origem:
China
Marca:
Meu rival
Número do modelo:
Susceptor de grafite revestido com SiC para ASM-01
Certificação:
ISO9001


Termos comerciais do produto


Quantidade mínima de pedido:
Sujeito a negociação
Preço:
Contato para cotação personalizada
Detalhes da embalagem:
Pacote de exportação padrão
Prazo de entrega:
Prazo de entrega: 30-45 dias após a confirmação do pedido
Condições de pagamento:
T/T
Capacidade de fornecimento:
100 unidades/mês


✔ Aplicação: O substrato de grafite revestido com SiC da Veteksemicon é um consumível essencial para o equipamento epitaxial da série ASM. Ele suporta diretamente o wafer e fornece um campo térmico uniforme e estável durante a epitaxia de alta temperatura, tornando-o um componente central para garantir o crescimento de alta qualidade de materiais semicondutores avançados, como GaN e SiC.

✔ Serviços que podem ser fornecidos: análise de cenário de aplicação do cliente, correspondência de materiais, solução de problemas técnicos. 

✔ Perfil da empresa:A Veteksemicon possui 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com P&D e capacidade de produção, teste e verificação.


Parâmetros Técnicos


projeto
parâmetro
Modelos aplicáveis
Equipamento epitaxial série ASM
Material base
Grafite isostática de alta pureza e alta densidade
Material de revestimento
Carboneto de silício pirolítico de alta pureza
Espessura do revestimento
A espessura padrão é de 80-150 μm (personalizável de acordo com os requisitos do processo do cliente)
Rugosidade superficial
A superfície do revestimento Ra ≤ 0,5 μm (o polimento pode ser realizado de acordo com os requisitos do processo)
Garantia de consistência
Cada produto passa por rigorosos testes de aparência, dimensões e correntes parasitas antes de sair da fábrica para garantir uma qualidade estável e confiável


Susceptor de grafite revestido com SiC Veteksemicon para vantagens do núcleo ASM


1. Pureza extrema e baixa taxa de defeitos

Usando substrato de grafite especial de alta pureza e partículas finas, combinado com nosso processo de revestimento por deposição química de vapor (CVD) estritamente controlado, garantimos que o revestimento seja denso, livre de furos e livre de impurezas. Isto reduz significativamente o risco de contaminação por partículas durante o processo epitaxial, proporcionando um ambiente de substrato limpo para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.


2. Excelente resistência à corrosão e resistência ao desgaste

O revestimento pirolítico de carboneto de silício possui dureza e inércia química extremamente altas, resistindo efetivamente à erosão de fontes de silício (como SiH4, SiHCl3), fontes de carbono (como C3H8) e gases de corrosão (como HCl, H2) em altas temperaturas. Isto amplia significativamente o ciclo de manutenção da base e reduz o tempo de inatividade da máquina causado pela substituição de componentes.


3. Excelente uniformidade e estabilidade térmica

Otimizamos a distribuição do campo térmico dentro da faixa de temperatura operacional por meio do projeto preciso da estrutura do substrato e do controle da espessura do revestimento. Isso se traduz diretamente em excelente uniformidade de espessura e resistividade no wafer epitaxial, contribuindo para melhorar o rendimento de fabricação de cavacos.


4. Excelente resistência de adesão do revestimento

A tecnologia exclusiva de pré-tratamento de superfície e revestimento gradiente permite que o revestimento de carboneto de silício forme uma forte camada de ligação com o substrato de grafite, evitando efetivamente problemas de descascamento, descamação ou rachaduras do revestimento que podem ocorrer durante o ciclo térmico de longo prazo.


5. Tamanho preciso e replicação estrutural

Possuímos capacidades maduras de usinagem e testes CNC, o que nos permite replicar completamente a geometria complexa, as dimensões da cavidade e as interfaces de montagem da base original, garantindo a combinação perfeita e a funcionalidade plug-and-play com a plataforma do cliente.


6. Endosso de verificação da cadeia ecológica

O susceptor de grafite revestido com SiC Veteksemicon para verificação da cadeia ecológica ASM cobre matérias-primas para produção, passou pela certificação de padrão internacional e possui uma série de tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos campos de semicondutores e novas energias.

Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou arranjos de testes de amostra, entre em contato com nossa equipe de suporte técnico para explorar como a Veteksemicon pode melhorar a eficiência do seu processo.


Principais campos de aplicação


Direção da aplicação
Cenário típico
Fabricação de dispositivos de energia SiC
No crescimento homoepitaxial do SiC, o substrato suporta diretamente o substrato de carboneto de silício, enfrentando altas temperaturas de mais de 1600°C e um ambiente de gás altamente gravável.
Fabricação de dispositivos de energia e RF baseados em silício
Usado para desenvolver camadas epitaxiais em substratos de silício, servindo como base para a fabricação de dispositivos de potência de ponta, como transistores bipolares de porta isolada (IGBTs), MOSFETs de superjunção e dispositivos de radiofrequência (RF).
Epitaxia semicondutora composta de terceira geração
Por exemplo, no crescimento heteroepitaxial de GaN-on-Si (nitreto de gálio em silício), ele serve como um componente chave que suporta substratos de safira ou silício.


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