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Suporte de grafite epitaxial Gan para G5
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Suporte de grafite epitaxial Gan para G5

O vetek semicondutor é um fabricante e fornecedor profissional, dedicado ao fornecimento de susceptador de grafite epitaxial GaN de alta qualidade para o G5. Estabelecemos parcerias de longo prazo e estáveis ​​com inúmeras empresas conhecidas em casa e no exterior, ganhando a confiança e o respeito de nossos clientes.

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional de susceptor de grafite epitaxial de GaN na China para G5. O susceptor de grafite epitaxial GaN para G5 é um componente crítico usado no sistema de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) Aixtron G5 para o crescimento de filmes finos de nitreto de gálio (GaN) de alta qualidade, desempenha um papel crucial na garantia de temperatura uniforme distribuição, transferência de calor eficiente e contaminação mínima durante o processo de crescimento.


Principais características do susceptor de grafite epitaxial VeTek Semiconductor GaN para G5:

-Alta pureza: o suscetador é feito de grafite altamente pura com revestimento CVD, minimizando a contaminação dos crescentes filmes de GaN.

-Excelente condutividade térmica: a alta condutividade térmica da grafite (150-300 W/(M · K)) garante a distribuição uniforme de temperatura através do susceptador, levando ao crescimento consistente do filme GaN.

-Baixa expansão térmica: O baixo coeficiente de expansão térmica do susceptor minimiza o estresse térmico e as rachaduras durante o processo de crescimento em alta temperatura.

-Inércia química: A grafite é quimicamente inerte e não reage com os precursores de GaN, evitando impurezas indesejadas nos filmes cultivados.

-Compatibilidade com Aixtron G5: O Susceptador foi projetado especificamente para uso no sistema Aixtron G5 MOCVD, garantindo ajuste e funcionalidade adequados.


Aplicações:

LEDs de alto brilho: LEDs baseados em GaN oferecem alta eficiência e longa vida útil, tornando-os ideais para iluminação geral, iluminação automotiva e aplicações de exibição.

Transistores de alta potência: Os transistores GaN oferecem desempenho superior em termos de densidade de potência, eficiência e velocidade de comutação, tornando-os adequados para aplicações de eletrônica de potência.

Diodos laser: Os diodos laser baseados em GaN oferecem alta eficiência e comprimentos de onda curtos, tornando-os ideais para armazenamento óptico e aplicações de comunicação.


Parâmetro do produto do susceptor de grafite epitaxial GaN para G5

Propriedades físicas da grafite isostática
Propriedade Unidade Valor típico
Densidade a granel g/cm³ 1.83
Dureza HD 58
Resistividade elétrica μΩ.M 10
Resistência à Flexão MPA 47
Força de compressão MPA 103
Resistência à tracção MPA 31
Módulo de Young GPA 11.8
Expansão térmica (CTE) 10-6K-1 4.6
Condutividade Térmica W · m-1· K-1 130
Tamanho Médio de Grão μm 8-10
Porosidade % 10
Conteúdo de cinzas ppm ≤10 (após purificado)

Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, faremos a segunda purificação.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade 3,21g/cm³
Dureza 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão 2 ~ 10mm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700 ℃
Resistência à Flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade Térmica 300W · m-1· K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Oficina de produção de semicondutores VeTek:

VeTek Semiconductor Production Shop


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