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Portador de salmão
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Portador de salmão

O vetek semicondutor é um dos principais fornecedores de transportador de wafer de epitaxia de carboneto de silício de silício na China. Fomos especializados em material avançado há mais de 20 anos. Oferecemos um portador de epitaxia de epitaxia de carboneto de silício para transportar substrato siC, o reator de epitaxia sic siC, no reator de epitaxial sic. Este portador de wafer de epitaxia de carboneto de silício é uma parte importante da parte da parte da meia -lua, resistência à alta temperatura, resistência a oxidação, resistência ao desgaste. Congratulamo -nos com você em visitar nossa fábrica na China.

Como fabricante profissional, gostaríamos de fornecer a você portador de wafer de alta qualidade de carboneto de carboneto de silício. Vetek semicondutores silicone carboneto epitaxia Os portadores de wafer são projetados especificamente para a câmara epitaxial do SiC. Eles têm uma ampla gama de aplicações e são compatíveis com vários modelos de equipamentos.

Cenário de aplicação:

TERK semicondutor Silicon Carbide epitaxy Os portadores de wafer são utilizados principalmente no processo de crescimento das camadas epitaxiais do SiC. Esses acessórios são colocados dentro do reator de epitaxia do SIC, onde entram em contato direto com os substratos SiC. Os parâmetros críticos para camadas epitaxiais são a espessura e a uniformidade da concentração de doping. Portanto, avaliamos o desempenho e a compatibilidade de nossos acessórios observando dados como espessura do filme, concentração de portador, uniformidade e rugosidade da superfície.

Uso:

Dependendo do equipamento e do processo, nossos produtos podem atingir pelo menos 5000 UM da espessura da camada epitaxial em uma configuração de meia lua de 6 polegadas. Este valor serve como uma referência, e os resultados reais podem variar.

Modelos de equipamentos compatíveis:

As peças de grafite revestidas com carboneto de silício semicondutor vetek são compatíveis com vários modelos de equipamentos, incluindo LPE, Naura, JSG, CETC, NASO Tech e outros.


Propriedades físicas básicas deCvd SiC Coating:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura cristalina Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade de revestimento CVD SiC 3,21 g/cm³
Sic Coatingherness 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão 2 ~ 10mm
Pureza química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação 2700 ℃
Força de flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Compare a loja de produção de semicondutores:

VeTek Semiconductor Production Shop

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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