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Carboneto de silício sólido

Vetek semicondutor O carboneto de silício sólido é um importante componente de cerâmica em equipamentos de gravura de plasma, carboneto de silício sólido (Carboneto de silício CVD) Peças no equipamento de gravação incluemAnéis de foco, chuveiro a gás, bandeja, anéis de borda, etc. Devido à baixa reatividade e condutividade do carboneto de silício sólido (carboneto de silício de CVD) ao cloro - e gases de gravação contendo fluorina, é um material ideal para equipamentos de gravação de plasma e outros componentes.


Por exemplo, o anel de foco é uma parte importante colocada fora da bolacha e em contato direto com a bolacha, aplicando uma tensão ao anel para focar o plasma que passa pelo anel, concentrando assim o plasma na bolacha para melhorar a uniformidade do processamento. O anel de foco tradicional é feito de silício ouquartzo, Silício condutor como um material de anel de foco comum, está quase próximo da condutividade das bolachas de silício, mas a escassez é baixa resistência de gravação no plasma contendo fluorino, a gravação de materiais de peças da máquina frequentemente usada por um período de tempo, haverá um fenômeno grave de corrosão, reduzindo seriamente sua eficiência da produção.


Sanel de foco olid sicPrincípio de trabalho

Working Principle of Solid SiC Focus Ring


Comparação do anel de foco baseado em SI e anel de foco CVD SIC:

Comparação do anel de foco baseado em SI e anel de foco CVD SIC
Item E CVD sic
Densidade (g/cm3) 2.33 3.21
Gap de banda (EV) 1.12 2.3
Condutividade térmica (W/cm ℃) 1.5 5
CTE (x10-6/℃) 2.6 4
Módulo elástico (GPA) 150 440
Dureza (GPA) 11.4 24.5
Resistência ao desgaste e corrosão Pobre Excelente


O vetek semicondutor oferece peças avançadas de carboneto de silício sólido (carboneto de silício CVD), como anéis de foco do SIC para equipamentos de semicondutores. Nosso carboneto de silício sólido anéis de foco superam o silício tradicional em termos de resistência mecânica, resistência química, condutividade térmica, durabilidade de alta temperatura e resistência à gravação de íons.


Os principais recursos de nossos anéis de foco no SIC incluem:

Alta densidade para taxas reduzidas de gravação.

Excelente isolamento com um alto desvio de banda.

Alta condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica.

Resistência e elasticidade do impacto mecânico superior.

Alta dureza, resistência ao desgaste e resistência à corrosão.

Fabricado usandoDeposição de vapor químico aprimorado por plasma (PECVD)Técnicas, nossos anéis de foco no SIC atendem às crescentes demandas dos processos de gravação na fabricação de semicondutores. Eles foram projetados para suportar maior poder plasmático e energia, especificamente emPlasma capacitivamente acoplado (CCP)sistemas.

Os anéis de foco SIC do VETEK SEMICONDUCOR fornecem desempenho e confiabilidade excepcionais na fabricação de dispositivos semicondutores. Escolha nossos componentes SIC para obter qualidade e eficiência superiores.


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Anéis de foco sólidos de SiC

Anéis de foco sólidos de SiC

Projetado para cercar a zona de rastreamento do wafer, o Anel de Foco Sólido SiC garante distribuição linear de plasma e perfis de gravação exatos de ponta a ponta. Esses componentes β-SiC premium são construídos pela Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) usando tecnologia proprietária de Deposição de Vapor Químico (CVD). Ao vaporizar as matérias-primas em uma matriz densa e sem aglutinantes, a Vetek elimina as microlacunas porosas comuns em materiais mais antigos. Em comparação com a blindagem padrão de quartzo ou silício, nossos componentes CVD SiC resistem muito melhor a gases halógenos corrosivos, protegendo o wafer em lógica sub-7nm profunda e fabricação densa de chips de memória.
Anel de focagem de carboneto de silício sólido

Anel de focagem de carboneto de silício sólido

O anel de foco de carboneto de silício sólido (SiC) Veteksemicon é um componente consumível crítico usado em processos avançados de epitaxia de semicondutores e gravação de plasma, onde o controle preciso da distribuição de plasma, uniformidade térmica e efeitos de borda de wafer são essenciais. Fabricado em carboneto de silício sólido de alta pureza, este anel de foco apresenta excepcional resistência à erosão por plasma, estabilidade em altas temperaturas e inércia química, permitindo desempenho confiável sob condições de processo agressivas. Aguardamos sua consulta.
Anel de foco de carboneto de silício

Anel de foco de carboneto de silício

O anel de foco Veteksemicon foi projetado especificamente para equipamentos exigentes de gravação de semicondutores, especialmente aplicações de gravação de SiC. Montado ao redor do mandril eletrostático (ESC), próximo ao wafer, sua função principal é otimizar a distribuição do campo eletromagnético dentro da câmara de reação, garantindo ação de plasma uniforme e focada em toda a superfície do wafer. Um anel de foco de alto desempenho melhora significativamente a uniformidade da taxa de gravação e reduz os efeitos de borda, aumentando diretamente o rendimento do produto e a eficiência da produção.
Anel de foco SiC sólido

Anel de foco SiC sólido

O anel de foco sólido de SiC Veteksemi melhora significativamente a uniformidade da gravação e a estabilidade do processo, controlando com precisão o campo elétrico e o fluxo de ar na borda do wafer. É amplamente utilizado em processos de gravação de precisão para silício, dielétricos e materiais semicondutores compostos e é um componente chave para garantir o rendimento da produção em massa e a operação confiável do equipamento a longo prazo.
Cabeça de chuveiro de grafite revestida com CVD SIC

Cabeça de chuveiro de grafite revestida com CVD SIC

O chuveiro de grafite revestido com CVD SiC da veteksemicon é um componente de alto desempenho projetado especificamente para processos de deposição de vapor químico semicondutores (CVD). Fabricado a partir de grafite de alta pureza e protegido com um revestimento de carboneto de silício de deposição de vapor químico (CVD), esta cabeça de chuveiro oferece excelente durabilidade, estabilidade térmica e resistência a gases de processo corrosivo. Ansioso por sua consulta adicional.
Anel de borda sic

Anel de borda sic

VETEKSEMICON ALTAMENTOS SIC DE PORTULAÇÃO DE HIA PORTULAÇÃO, projetados especialmente para equipamentos de gravura semicondutores, apresentam excelente resistência à corrosão e estabilidade térmica, aumentando significativamente o rendimento da bolacha

Veteksemicon solid silicon carbide is the ideal procurement material for high-temperature, high-strength, and corrosion-resistant components used in semiconductor and industrial applications. As a fully dense, monolithic ceramic, solid silicon carbide (SiC) offers unmatched mechanical rigidity, extreme thermal conductivity, and exceptional chemical durability in harsh processing environments. Veteksemicon’s solid SiC is specifically developed for critical structural applications such as SiC wafer carriers, cantilever paddles, susceptors, and showerheads in semiconductor equipment.


Manufactured through pressureless sintering or reaction bonding, our solid silicon carbide parts exhibit excellent wear resistance and thermal shock performance, even at temperatures above 1600°C. These properties make solid SiC the preferred material for CVD/PECVD systems, diffusion furnaces, and oxidation furnaces, where long-term thermal stability and purity are essential.


Veteksemicon also offers custom-machined SiC parts, enabling tight dimensional tolerances, high surface quality, and application-specific geometries. Additionally, solid SiC is non-reactive in both oxidizing and reducing atmospheres, enhancing its suitability for plasma, vacuum, and corrosive gas environments.


To explore our full range of solid silicon carbide components and discuss your project specifications, please visit the Veteksemicon product detail page or contact us for technical support and quotations.


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