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Anel de foco de gravação sólida de SiC
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Anel de foco de gravação sólida de SiC

O anel de foco de gravação de SiC sólido é um dos principais componentes do processo de gravação de wafer, que desempenha um papel na fixação do wafer, focando o plasma e melhorando a uniformidade da gravação do wafer. Como fabricante líder de anel de foco de SiC na China, a VeTek Semiconductor possui tecnologia avançada e processo maduro, e fabrica anel de foco de gravação de SiC sólido que atende totalmente às necessidades dos clientes finais de acordo com os requisitos do cliente. Aguardamos sua consulta e nos tornaremos parceiros de longo prazo um do outro.

A VeTek Semiconductor fez grandes progressos na tecnologia CVD Solid SiC e agora é capaz de produzir anel de focagem de gravação em SiC sólido com nível de liderança mundial. O anel de foco de gravação de SiC sólido da VeTek Semiconductor é um produto de material de carboneto de silício de ultra-alta pureza criado através do processo de deposição química de vapor.

O anel de foco de gravação SiC SiC é usado em processos de fabricação de semicondutores, particularmente em sistemas de gravura plasmática. O anel de foco do SIC é um componente crucial que ajuda a alcançar a gravação precisa e controlada das bolachas de carboneto de silício (sic).


Durante o processo de gravação a plasma, o anel de foco desempenha várias funções, como segue:

● Focando o plasma: O anel de foco de gravação sólido da SIC ajuda a moldar e concentrar o plasma ao redor da bolacha, garantindo que o processo de gravação ocorra de maneira uniforme e eficiente. Ajuda a limitar o plasma à área desejada, impedindo a gravação dispersa ou danos às regiões circundantes.

●  Protegendo as paredes da câmara: O anel de foco atua como uma barreira entre o plasma e as paredes da câmara, impedindo o contato direto e os possíveis danos. O SiC é altamente resistente à erosão plasmático e oferece excelente proteção para as paredes da câmara.

●  Tcontrole de temperatura: O anel de foco sic ajuda a manter a distribuição uniforme da temperatura em todo o wafer durante o processo de gravação. Ajuda a dissipar o calor e evita superaquecimento localizado ou gradientes térmicos que podem afetar os resultados da gravação.


Solid SiC Etching Focusing Ring in Plasma Etching Equipment


O SiC sólido é escolhido para anéis de foco devido à sua excelente estabilidade térmica e química, alta resistência mecânica e resistência à erosão por plasma. Essas propriedades tornam o SiC um material adequado para as condições adversas e exigentes dentro dos sistemas de gravação a plasma.


Vale a pena notar que o design e as especificações dos anéis de foco podem variar dependendo do sistema específico de gravação de plasma e requisitos de processo. O vetek semicondutor otimiza a forma, as dimensões e as características da superfície dos anéis de foco para garantir o desempenho e a longevidade da gravação ideais. O sólido SiC é amplamente utilizado para transportadores de bolacas, suscetores, bolacha fictícia, anéis de guia, peças para processo de gravação, processo de CVD, etc.


Parâmetro do produto do anel de foco de gravação SiC sólido


Propriedades físicas do SOLL SIC
Densidade 3.21 g/cm3
Resistividade de eletricidade 102 Ω/cm
Resistência à Flexão 590 MPA (6000kgf/cm2)
Módulo de Young 450 GPA (6000kgf/mm2)
Dureza Vickers 26 GPA (2650kgf/mm2)
C.T.E. (RT-1000 ℃) 4.0 X10-6/K
Condutividade térmica (RT) 250 W/mk


Revendedor semicondutor


Veteksemi Solid SiC Etching Focusing Ring shops


Hot Tags: Anel de foco de gravação em SiC sólido
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