Pó de alta pureza de alta pureza

1. Alta pureza: o conteúdo de SiC é de 99,9999%, o conteúdo de impureza é muito baixo, o que reduz o impacto adverso no desempenho dos dispositivos semicondutores e fotovoltaicos e melhora a consistência e a confiabilidade dos produtos.

2. Excelentes propriedades físicas: incluindo alta dureza, alta resistência e alta resistência ao desgaste, para que possa manter uma boa estabilidade estrutural durante o processamento e o uso.

3. Alta condutividade térmica: pode realizar rapidamente calor, ajudar a melhorar a eficiência de dissipação de calor do dispositivo, reduzir a temperatura de operação, estendendo assim a vida útil do dispositivo.

4. Baixo coeficiente de expansão: a mudança de tamanho é pequena quando a temperatura muda, reduzindo o rachadura do material ou o declínio do desempenho causado pela expansão e contração térmica.

5. Boa estabilidade química: a resistência à corrosão ácida e alcalina, pode permanecer estável em um ambiente químico complexo.

6. Características de gap de banda larga: com alta resistência ao campo elétrico de ruptura e velocidade de desvio de saturação de elétrons, adequada para fabricar dispositivos de alta temperatura, alta pressão, alta frequência e de alta potência.

7. Mobilidade de Alta Eletrônica: É propício a melhorar a velocidade de trabalho e a eficiência dos dispositivos semicondutores.

8. Proteção ambiental: poluição relativamente pequena para o meio ambiente no processo de produção e uso.

Indústria de semicondutores:

- Material do substrato: o pó SiC de alta pureza pode ser usado para fabricar substrato de carboneto de silício, que pode ser usado para fabricar dispositivos de alta frequência, alta temperatura e alta pressão e dispositivos de RF.

Crescimento epitaxial: No processo de fabricação de semicondutores, o pó de carboneto de silício de alta pureza pode ser usado como matéria-prima para o crescimento epitaxial, que é usado para cultivar camadas epitaxiais de carboneto de silício de alta qualidade no substrato.

Materiais de embalagem: o pó de carboneto de silício de alta pureza pode ser usado para fabricar materiais de embalagem de semicondutores para melhorar o desempenho e a confiabilidade da dissipação de calor da embalagem.

Indústria fotovoltaica:

Células de silício cristalino: No processo de fabricação de células de silício cristalino, o pó de carboneto de silício de alta pureza pode ser usado como fonte de difusão para a formação de junções P-N.

- Bateria de filme fino: no processo de fabricação de bateria de filme fino, o pó de carboneto de silício de alta pureza pode ser usado como alvo para a deposição de deposição de sputering de filme de carboneto de silício.