Pó de carboneto de silício ultra puro para crescimento de cristais

Como fabricante profissional, o vetek semicondutor gostaria de fornecer pó de carboneto de silício ultra puro de alta qualidade para crescimento de cristais.

O vetek semicondutor é especializado em fornecer pó de carboneto de silício ultra puro para crescimento de cristais com níveis variados de pureza. Entre em contato conosco hoje para saber mais e receber uma cotação. Eleve sua pesquisa e desenvolvimento de semicondutores com os produtos de alta qualidade do Vetek Semiconductor.

O pó de carboneto de silício ultra puro de vetek semicondutor para crescimento de cristais é preparado usando um método de reação em fase sólida de alta temperatura, utilizando pó de silício de alta pureza e pó de carbono de alta pureza como matérias-primas. Com uma pureza de até 99,999% em peso e níveis extremamente baixos de impureza de nitrogênio, boro, alumínio e outros contaminantes, ele é projetado especificamente para aprimorar as propriedades semi-insulativas do carboneto de silício de alta pureza.

A pureza do nosso pó de carboneto de silício de grau semicondutor atinge 99,999%, tornando-o uma excelente matéria-prima para a produção de cristais únicos de carboneto de silício. O que diferencia nosso produto de outras pessoas no mercado é sua característica notável do crescimento de cristais de alta velocidade. Com as taxas de crescimento de cristais atingindo 0,2-0,3 mm/h, reduz significativamente o tempo de crescimento de cristais e reduz os custos gerais de produção.

A qualidade do pó de carboneto de silício é crucial para alcançar o alto rendimento de crescimento de cristais e requer processos precisos de fabricação. Nossa tecnologia envolve a separação térmica em diferentes estágios para remover impurezas de propriedades variadas, resultando em pó de carboneto de silício semi-insulativo de alta pureza com baixo teor de nitrogênio. Ao processar ainda mais o pó em grânulos e utilizando técnicas de ciclagem térmica, atendemos aos requisitos de crescimento dimensional dos cristais de carboneto de silício. Essa tecnologia tem como objetivo aprimorar as capacidades de pesquisa de semicondutores avançados domésticos, melhorar a auto-suficiência material, abordar os monopólios internacionais e reduzir os custos de fabricação na indústria de semicondutores de carboidratos de silício doméstico, elevando sua competitividade global.

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