Matéria-prima SiC CVD de alta pureza 7N

1. Fatores essenciais de desempenho

• Pureza de grau 7N: Mantemos uma pureza consistente de 99,99999% (7N), mantendo as impurezas metálicas em níveis ppb. Isso é essencial para o cultivo de cristais semi-isolantes de alta resistividade (HPSI) e para garantir contaminação zero em aplicações de energia ou RF.
• Estabilidade Estrutural vs. C-Poeira: Ao contrário dos pós tradicionais que tendem a colapsar ou liberar finos durante a sublimação, nosso volume CVD de grão grande permanece estruturalmente estável. Isso evita a migração de poeira de carbono (poeira C) para a zona de crescimento – a principal causa de inclusões de cristais e defeitos de microtubos.
• Cinética de crescimento otimizada: Projetada para fabricação em escala industrial, esta fonte suporta taxas de crescimento de até 1,46 mm/h. Isso representa uma melhoria de 2x a 3x em relação aos 0,3–0,8 mm/h normalmente alcançados com métodos convencionais à base de pó.
• Gerenciamento de gradiente térmico: A alta densidade aparente e a geometria específica de nossos blocos criam um gradiente de temperatura mais agressivo dentro do cadinho. Isso promove uma liberação equilibrada de vapores de silício e carbono, mitigando as flutuações "rico em Si precoce/rico em C tardio" que afetam os processos padrão.
• Otimização de carregamento do cadinho: Nosso material permite um aumento de mais de 2 kg na capacidade de carga para cadinhos de 8 polegadas em comparação com métodos em pó. Isto permite o crescimento de lingotes mais longos por ciclo, melhorando diretamente a taxa de rendimento pós-produção em direção a 100%.

1. Especificações Técnicas

Comparação: Pó Tradicional vs. VETEK CVD Bulk