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Susceptor de barril revestido de SiC para LPE PE2061S
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Susceptor de barril revestido de SiC para LPE PE2061S

Como uma das principais fábricas de fabricação de susceptores de bolacha na China, o vetek semicondutor fez um progresso contínuo nos produtos susceptores de wafer e se tornou a primeira escolha para muitos fabricantes de bolacha epitaxial. O susceptador de barril revestido com SiC para LPE PE2061s fornecido pelo VETEK Semiconductor foi projetado para as bolachas LPE PE2061S 4 ''. O susceptador possui um revestimento durável de carboneto de silício que melhora o desempenho e a durabilidade durante o processo LPE (Epitaxia de Fase Líquida). Dê boas-vindas à sua pergunta, estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo.


Vetek semicondutor é um susceptador profissional de barril revestido com china sic paraLPE PE2061Sfabricante e fornecedor.

O susceptador de barril revestido com LPE PE2061s, semicondutor, é um produto de alto desempenho criado pela aplicação de uma fina camada de carboneto de silício na superfície da grafite isotrópica altamente purificada. Isso é alcançado através do proprietário do vetek semicondutorDeposição de vapor químico (CVD)processo.

Nosso susceptador de barril revestido com SiC para LPE PE2061S é um tipo de reator de barril de deposição epitaxial de CVD foi projetado para oferecer desempenho confiável em ambientes extremos. Sua adesão excepcional de revestimento, resistência a oxidação de alta temperatura e resistência à corrosão o tornam uma excelente opção para uso em condições adversas. Além disso, seu perfil térmico uniforme e o padrão de fluxo de gás laminar evitam a contaminação, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade.

O design em forma de barril do nosso semicondutorreator epitaxialotimiza padrões de fluxo de gás laminar, garantindo distribuição uniforme de calor. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas,Garantir crescimento epitaxial de alta qualidade em substratos de bolacha.

Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes produtos de alta qualidade e com boa relação custo-benefício. Nosso Susceptor de Barril revestido com CVD SiC oferece a vantagem de competitividade de preços, mantendo excelente densidade tanto para osubstrato de grafiteerevestimento de carboneto de silício, fornecendo proteção confiável em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.


Dados SEM da estrutura cristalina do filme CVD SIC:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


O susceptor de barril revestido com SiC para crescimento de cristal único exibe uma suavidade superficial muito alta.

Minimiza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e

revestimento de carboneto de silício, melhorando efetivamente a resistência da ligação e evitando rachaduras e delaminação.

Tanto o substrato de grafite quanto o revestimento de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes capacidades de distribuição térmica.

Tem um ponto de fusão alto, alta temperaturaResistência a oxidação, eresistência à corrosão.



Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade 3,21g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão 2 ~ 10mm
Pureza química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700 ℃
Resistência à Flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Susceptor de barril revestido de SiC semicondutor VeTek para oficina de produção LPE PE2061S:

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

semiconductor chip epitaxy industry chain


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