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Susceptador de barril de grafite revestido com SIC para EPI
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Susceptador de barril de grafite revestido com SIC para EPI

A base de aquecimento de wafer epitaxial tipo barril é um produto com tecnologia de processamento complicada, que é muito desafiadora para equipamentos e habilidades de usinagem. A Vetek semiconductor possui equipamentos avançados e rica experiência no processamento de susceptor de barril de grafite revestido de SiC para EPI, pode fornecer o mesmo que a vida de fábrica original, barris epitaxiais mais econômicos.

Semicondutor VeTeké um fabricante e fornecedor na China que produz principalmente susceptor de barril de grafite revestido de SiC para EPI com muitos anos de experiência. Espero construir relacionamento comercial com você.EPI (epitaxia)é um processo crítico na fabricação de semicondutores avançados. Envolve a deposição de finas camadas de material em um substrato para criar estruturas de dispositivos complexos. O susceptor de barril de grafite revestido com SiC para EPI é comumente usado como susceptor em reatores EPI devido à sua excelente condutividade térmica e resistência a altas temperaturas. ComRevestimento CVD-SiC, torna -se mais resistente à contaminação, erosão e choque térmico. Isso resulta em uma vida útil mais longa para o susceptador e melhoria a qualidade do filme.


Vantagens do nosso susceptor de barril de grafite revestido com SiC:


Contaminação Reduzida: A natureza inerte da SIC impede que as impurezas aderem à superfície do suscetador, reduzindo o risco de contaminação dos filmes depositados.

Aumento da resistência à erosão: O SiC é significativamente mais resistente à erosão do que a grafite convencional, levando a uma vida útil mais longa para o susceptador.

Estabilidade térmica melhorada: O SIC possui excelente condutividade térmica e pode suportar altas temperaturas sem distorção significativa.

Qualidade aprimorada do filme: A estabilidade térmica aprimorada e a contaminação reduzida resultam em filmes depositados de maior qualidade com melhor uniformidade e controle de espessura.


Aplicações:

Os susceptores de barril de grafite revestidos com SiC são amplamente utilizados em vários aplicativos de EPI, incluindo:

✔ LEDs baseados em GaN

✔ Eletrônica de potência

✔ Dispositivos optoeletrônicos

✔ Transistores de alta frequência

✔ Sensores

Parâmetro do produto do susceptador de barril de grafite revestido com SiC

Propriedades físicas degrafite isostática
Propriedade Unidade Valor típico
Densidade a granel g/cm³ 1.83
Dureza HD 58
Resistividade Elétrica μΩ.M 10
Resistência à Flexão MPA 47
Força de compressão MPA 103
Resistência à tracção MPA 31
Módulo de Young GPA 11.8
Expansão Térmica (CTE) 10-6K-1 4.6
Condutividade térmica W·m-1· K-1 130
Tamanho médio de grão μm 8-10
Porosidade % 10
Conteúdo de cinzas ppm ≤10 (depois de purificado)

        Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, faremos a segunda purificação.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade do revestimento SiC 3,21 g/cm³
Dureza do revestimento CVD SiC Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão 2 ~ 10mm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J·kg-1· K-1
Temperatura da sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1

Semicondutor VeTekSusceptador de barril de grafite revestido com SIC para EPIOficina de produção

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

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