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Placa superior revestida com SIC para LPE PE2061S
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Placa superior revestida com SIC para LPE PE2061S

O vetek semicondutor está profundamente envolvido em produtos de revestimento SiC há muitos anos e se tornou um fabricante líder e fornecedor da placa superior revestida com SiC para LPE PE2061s na China. A placa superior revestida com SiC para LPE PE2061s que fornecemos foi projetada para reatores epitaxiais de silício LPE e está localizado na parte superior junto com a base do barril. Esta placa superior revestida com SiC para LPE PE2061S possui excelentes características, como alta pureza, excelente estabilidade térmica e uniformidade, o que ajuda a cultivar camadas epitaxiais de alta qualidade. Não importa o produto que você precisa, estamos ansiosos para sua consulta.

VeTek Semiconductor é um fabricante e fornecedor profissional de placa superior revestida de SiC na China para LPE PE2061S.

A placa superior revestida de semicondutores SiC vetek para PE2061s LPE em equipamento epitaxial de silício, usado em conjunto com um susceptador de corpo do tipo barril para apoiar e manter as bolachas epitaxiais (ou substratos) durante o processo de crescimento epitaxial.

A placa superior revestida de SiC para LPE PE2061S é normalmente feita de material de grafite estável em altas temperaturas. A VeTek Semiconductor considera cuidadosamente fatores como o coeficiente de expansão térmica ao selecionar o material de grafite mais adequado, garantindo uma ligação forte com o revestimento de carboneto de silício.

A placa superior revestida de SiC para LPE PE2061S apresenta excelente estabilidade térmica e resistência química para suportar ambientes corrosivos e de alta temperatura durante o crescimento da epitaxia. Isso garante estabilidade, confiabilidade e proteção a longo prazo dos wafers.

No equipamento epitaxial de silício, a função principal de todo o reator CVD revestido com SiC é suportar os wafers e fornecer uma superfície de substrato uniforme para o crescimento das camadas epitaxiais. Além disso, permite ajustes na posição e orientação dos wafers, facilitando o controle da temperatura e da dinâmica dos fluidos durante o processo de crescimento para alcançar as condições de crescimento desejadas e as características da camada epitaxial.

Os produtos da vetek semicondutores oferecem alta espessura de revestimento de alta precisão e uniforme. A incorporação de uma camada de buffer também estende a vida útil do produto. No equipamento epitaxial de silício, usado em conjunto com um suscet de corporal do tipo barril para apoiar e manter as bolachas epitaxiais (ou substratos) durante o processo de crescimento epitaxial.


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura Cristalina Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade 3,21g/cm³
Dureza 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho do grão 2 ~ 10mm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão Térmica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Revendedor semicondutor

VeTek Semiconductor Production Shop


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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