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Parte superior de meia -lua sic revestida
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Parte superior de meia -lua sic revestida

O vetek semicondutor é um fornecedor líder de parte personalizada de meia -lua superior revestida na China, especializada em materiais avançados por mais de 20 anos. A parte do semicondutor de vetek semicondutores SiC é projetada especificamente para equipamentos epitaxiais do SiC, servindo como um componente crucial na câmara de reação. Feito de grafite ultra-pura e semicondutores, garante excelente desempenho. Convidamos você a visitar nossa fábrica na China.

Como fabricante profissional, gostaríamos de fornecer a você a parte superior da meia -lua de alta qualidade.

VETEK O semicondutor de meia -lua superior SiC revestido é projetado especificamente para a câmara epitaxial SiC. Eles têm uma ampla gama de aplicações e são compatíveis com vários modelos de equipamentos.

Cenário de aplicação:

No Vetek Semiconductor, especializamos-se em fabricar a peça de meia-lua de alta qualidade SiC revestida. Nossos produtos revestidos com SIC e TAC são projetados especificamente para câmaras epitaxiais do SIC e oferecem ampla compatibilidade com diferentes modelos de equipamentos.

VETEK O semicondutor de meia -lua superior SiC serve como componentes na câmara epitaxial do SiC. Eles garantem condições de temperatura controladas e contato indireto com as bolachas, mantendo o conteúdo de impureza abaixo de 5 ppm.

Para garantir a qualidade ideal da camada epitaxial, monitoramos cuidadosamente parâmetros críticos, como espessura e uniformidade da concentração de doping. Nossa avaliação inclui a análise dos dados de espessura do filme, concentração de transportadora, uniformidade e rugosidade da superfície para obter a melhor qualidade do produto.

A parte do vetek semicondutor de meia -lua SiC é compatível com vários modelos de equipamentos, incluindo LPE, Naura, JSG, CETC, NASO Tech e muito mais.

Entre em contato conosco hoje para explorar nossa peça de meia-lua de alta qualidade, com revestimento ou agendamentoe uma visita à nossa fábrica.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura cristalina Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade 3,21 g/cm³
Dureza 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão 2 ~ 10mm
Pureza química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação 2700 ℃
Força de flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Compare a loja de produção de semicondutores:

VeTek Semiconductor Production Shop


Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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