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Susceptor revestido de SiC MOCVD
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Susceptor revestido de SiC MOCVD

O susceptor revestido de SiC VETEK MOCVD é uma solução de suporte projetada com precisão, desenvolvida especificamente para crescimento epitaxial de LED e semicondutores compostos. Ele demonstra excepcional uniformidade térmica e inércia química em ambientes MOCVD complexos. Aproveitando o rigoroso processo de deposição CVD da VETEK, estamos comprometidos em melhorar a consistência do crescimento do wafer e estender a vida útil dos componentes principais, fornecendo garantia de desempenho estável e confiável para cada lote de sua produção de semicondutores.

Parâmetros Técnicos


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
FCC fase β policristalina, orientação principalmente (111)
Densidade
3,21g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão
2~10μm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimação
2700°C
Resistência à Flexão
415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young
Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica
300W·m-1·K-1
Expansão Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

ESTRUTURA DE CRISTAL DO FILME CVD SIC


Definição e Composição do Produto


O susceptor revestido de SiC VETEK MOCVD é um componente premium de transporte de wafer projetado especificamente para o processamento epitaxial de semicondutores de terceira geração, como GaN e SiC. Este produto integra as propriedades físicas superiores de dois materiais de alto desempenho:


Substrato de grafite de alta pureza: Fabricado usando tecnologia de prensagem isostática para garantir que o material base possua excepcional integridade estrutural, alta densidade e estabilidade de processamento térmico.

Revestimento CVD SiC: Uma camada protetora de carboneto de silício (SiC) densa e sem estresse é cultivada na superfície de grafite por meio da avançada tecnologia de Deposição Química de Vapor (CVD).


Por que VETEK é sua garantia de rendimento


Máxima precisão no controle de uniformidade térmica: Ao contrário dos transportadores convencionais, os susceptores VETEK alcançam uma transferência de calor altamente sincronizada em toda a superfície através do controle preciso em escala nanométrica da espessura do revestimento e da resistência térmica. Esse sofisticado gerenciamento térmico minimiza efetivamente o desvio padrão do comprimento de onda (STD) na superfície do wafer, aumentando significativamente a qualidade do wafer único e a consistência geral do lote.

Proteção de longo prazo com contaminação zero por partículas: Em câmaras de reação MOCVD contendo gases altamente corrosivos, os pedestais de grafite comuns são propensos à descamação das partículas. O revestimento CVD SiC da VETEK possui excepcional inércia química, agindo como um escudo impenetrável que sela os microporos de grafite. Isto garante o isolamento total das impurezas do substrato, evitando qualquer contaminação das camadas epitaxiais de GaN ou SiC.

Excepcional resistência à fadiga e vida útil:Graças ao processo de tratamento de interface proprietário da VETEK, nosso revestimento de SiC atinge uma expansão térmica otimizada que combina com o substrato de grafite. Mesmo sob ciclos térmicos de alta frequência entre temperaturas extremas, o revestimento mantém uma adesão superior sem descascar ou desenvolver microfissuras. Isto reduz significativamente a frequência de manutenção de peças sobressalentes e reduz o custo total de propriedade.


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