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Susceptor Epitaxial MOCVD para Wafer de 4
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Susceptor Epitaxial MOCVD para Wafer de 4"

O suscetador epitaxial do MOCVD para wafer de 4 "foi projetado para cultivar camada epitaxial de 4". O semicondutor de vetek é um fabricante e fornecedor profissional, que se dedica a fornecer susceptador epitaxial de MOCVD de alta qualidade com material de seleção de grafite e processo de revestimento de sicite. Somos capazes de fornecer soluções especializadas e eficientes para nossos clientes. Você pode se comunicar conosco.

O vetek semicondutor é um líder profissional China MOCVD Susceptor epitaxial para fabricante de wafer de 4 "com alta qualidade e preço razoável. Bem-vindo para entrar em contato. Processo, que é amplamente utilizado para o crescimento de filmes finos epitaxiais de alta qualidade, incluindo nitreto de gálio (GaN), nitreto de alumínio (ALN) e carboneto de silício (SiC). O susceptador serve como uma plataforma para manter o substrato durante o processo de crescimento epitaxial e desempenha um papel crucial na garantia de distribuição uniforme de temperatura, transferência de calor eficiente e condições ideais de crescimento.

O susceptador epitaxial de MOCVD para wafer de 4 "é tipicamente feito de grafite de alta pureza, carboneto de silício ou outros materiais com excelente condutividade térmica, inércia química e resistência ao choque térmico.


Aplicações:

Os susceptores epitaxiais do MOCVD encontram aplicativos em vários setores, incluindo:

Eletrônica de potência: crescimento de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) baseados em GaN para aplicações de alta potência e alta frequência.

Optoeletrônica: Crescimento de diodos emissores de luz baseados em GaN (LEDs) e diodos a laser para tecnologias eficientes de iluminação e exibição.

Sensores: crescimento de sensores piezoelétricos à base de ALN para pressão, temperatura e detecção de ondas acústicas.

Eletrônica de alta temperatura: crescimento de dispositivos de energia baseados em SiC para aplicações de alta temperatura e alta potência.


Parâmetro do produto do susceptor epitaxial MOCVD para wafer de 4"

Propriedades físicas da grafite isostática
Propriedade Unidade Valor típico
Densidade aparente g/cm³ 1.83
Dureza HD 58
Resistividade elétrica μΩ.m 10
Resistência à Flexão MPA 47
Força de compressão MPA 103
Resistência à tracção MPA 31
Módulo de Young GPA 11.8
Expansão térmica (CTE) 10-6K-1 4.6
Condutividade Térmica W·m-1· K-1 130
Tamanho médio de grão μm 8-10
Porosidade % 10
Conteúdo de cinzas ppm ≤10 (após purificado)

Nota: Antes do revestimento, faremos a primeira purificação, após o revestimento, fará a segunda purificação.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura cristalina FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111)
Densidade 3,21g/cm³
Dureza 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho do grão 2 ~ 10mm
Pureza Química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Resistência à Flexão 415 MPa RT de 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade Térmica 300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


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