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Segmentos de cobertura de revestimento SiC
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Segmentos de cobertura de revestimento SiC

O semicondutor VTech está comprometido com o desenvolvimento e comercialização de peças revestidas com CVD SiC para reatores de Aixtron. Como exemplo, nossos segmentos de cobertura de revestimento SiC foram cuidadosamente processados ​​para produzir um denso revestimento de CVD SiC com excelente resistência à corrosão, estabilidade química, bem -vindo a discutir cenários de aplicação conosco.

Você pode ter certeza de comprar segmentos de cobertura de revestimento SIC de nossa fábrica. A tecnologia Micro LEDS está interrompendo o ecossistema de LED existente com métodos e abordagens que até agora só foram vistos nas indústrias LCD ou semicondutores. O sistema AIXTRON G5 MOCVD suporta perfeitamente esses rigorosos requisitos extensionais. É um poderoso reator de MOCVD projetado principalmente paraCrescimento de epitaxia de Gan baseado em silício.


Aixtron G5é um sistema de epitaxia de disco planetário horizontal, constituído principalmente por componentes como o disco planetário de revestimento de CVD SiC, susceptores de MOCVD, segmentos de cobertura de revestimento sic, anel de revestimento sic, anel de revestimento, coleta de revestimento sic, sic com revestimento de sic, sic anel de revestimento de tampa, siccating exaustão de capa.


Como fabricante de revestimento CVD SiC, o VETEK SEMICONDUCTOR oferece segmentos de cobertura de revestimento Aixtron G5 Sic. Esses susceptores são feitos de grafite de alta pureza e apresentam umCvd SiC Coatingcom impureza abaixo de 5ppm.


Os produtos de segmentos de cobertura de revestimento CVD SiC exibem excelente resistência à corrosão, condutividade térmica superior e estabilidade de alta temperatura. Esses produtos resistem efetivamente à corrosão e oxidação química, garantindo durabilidade e estabilidade em ambientes severos. A excelente condutividade térmica permite transferência de calor eficiente, aumentando a eficiência do gerenciamento térmico. 


Com sua estabilidade e resistência de alta temperatura ao choque térmico, os revestimentos CVD SiC podem suportar condições extremas. Eles impedem a dissolução e oxidação do substrato de grafite, reduzindo a contaminação e melhorando a eficiência da produção e a qualidade do produto. A superfície de revestimento plana e uniforme fornece uma base sólida para o crescimento do filme, minimizando defeitos causados ​​pela incompatibilidade da treliça e melhorando a cristalinidade e a qualidade do filme. Em resumo, os produtos de grafite revestidos com CVD SiC oferecem soluções de materiais confiáveis ​​para várias aplicações industriais, combinando resistência à corrosão excepcional, condutividade térmica e estabilidade de alta temperatura.


Dados SEM do filme CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade Valor típico
Estrutura cristalina Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade do revestimento SiC 3,21 g/cm³
Dureza do revestimento sic cvd sic 2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Tamanho de grão 2 ~ 10mm
Pureza química 99,99995%
Capacidade de calor 640 J · kg-1· K-1
Temperatura da sublimação 2700 ℃
Força de flexão 415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Condutividade térmica 300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE) 4,5 × 10-6 ·K-1

É semicondutorSiC Coating Cover Segments Oficinas de produtos:

SiC Coated Wafer CarrierAixtron equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment

Visão geral do semicondutor Cadeia da indústria de epitaxia de chip:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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