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Endereço
Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, cidade de Jinhua, província de Zhejiang, China
Informações gerais do produto
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Local de Origem: |
China |
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Marca: |
Meu rival |
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Número do modelo: |
Câmara do reator epitaxial revestida com SiC-01 |
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Certificação: |
ISO9001 |
Termos comerciais do produto
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Quantidade mínima de pedido: |
Sujeito a negociação |
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Preço: |
Contato para cotação personalizada |
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Detalhes da embalagem: |
Pacote de exportação padrão |
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Prazo de entrega: |
Prazo de entrega: 30-45 dias após a confirmação do pedido |
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Condições de pagamento: |
T/T |
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Capacidade de fornecimento: |
100 unidades/mês |
Aplicativo: A câmara do reator epitaxial revestida com SiC da Veteksemicon foi projetada para processos epitaxiais de semicondutores exigentes. Ao fornecer um ambiente de alta temperatura extremamente puro e estável, melhora significativamente a qualidade dos wafers epitaxiais de SiC e GaN, tornando-se uma pedra angular para a fabricação de chips de potência de alto desempenho e dispositivos de RF.
Serviços que podem ser fornecidos: análise de cenário de aplicação do cliente, correspondência de materiais, solução de problemas técnicos.
Perfil de companhia:A Veteksemicon possui 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com P&D e capacidade de produção, teste e verificação.
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Projeto |
Parâmetro |
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Material base |
Grafite de alta resistência |
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Processo de revestimento |
Revestimento CVD SiC |
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Espessura do revestimento |
A personalização está disponível para atender ao processo do clienterequisitos (valor típico: 100±20μm). |
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Pureza |
> 99,9995% (revestimento SiC) |
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Temperatura máxima de operação |
> 1650°C |
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condutividade térmica |
120 W/m·K |
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Processos aplicáveis |
Epitaxia SiC, epitaxia GaN, MOCVD/CVD |
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Dispositivos compatíveis |
Reatores epitaxiais convencionais (como Aixtron e ASM) |
1. Super resistência à corrosão
A câmara de reação da Veteksemicon emprega um processo CVD proprietário para depositar um revestimento de carboneto de silício extremamente denso e de alta pureza na superfície do substrato. Este revestimento resiste efetivamente à erosão de gases corrosivos de alta temperatura, como HCl e H2, comumente encontrados em processos epitaxiais de SiC, resolvendo fundamentalmente os problemas de porosidade superficial e desprendimento de partículas que podem ocorrer em componentes tradicionais de grafite após uso a longo prazo. Esta característica garante que a parede interna da câmara de reação permaneça lisa mesmo após centenas de horas de operação contínua, reduzindo significativamente os defeitos do wafer causados pela contaminação da câmara.
2. Estabilidade em altas temperaturas
Graças às excelentes propriedades térmicas do carboneto de silício, esta câmara de reação pode facilmente suportar temperaturas de operação contínua de até 1600°C. Seu coeficiente de expansão térmica extremamente baixo garante que os componentes minimizem o acúmulo de estresse térmico durante repetidos aquecimentos e resfriamentos rápidos, evitando microfissuras ou danos estruturais causados por fadiga térmica. Esta excelente estabilidade térmica fornece uma janela de processo crucial e garantia de confiabilidade para processos epitaxiais, especialmente homoepitaxia de SiC, que requer ambientes de alta temperatura.
3. Alta pureza e baixa poluição
Estamos perfeitamente conscientes do impacto decisivo da qualidade da camada epitaxial no desempenho final do dispositivo. Portanto, a Veteksemicon busca a mais alta pureza de revestimento possível, garantindo que atinja um nível superior a 99,9995%. Essa alta pureza suprime efetivamente a migração de impurezas metálicas (como Fe, Cr, Ni, etc.) para a atmosfera do processo em altas temperaturas, evitando assim o impacto fatal dessas impurezas na qualidade do cristal da camada epitaxial. Isso estabelece uma base material sólida para a fabricação de semicondutores de potência e dispositivos de radiofrequência de alto desempenho e alta confiabilidade.
4. Projeto de longa vida
Em comparação com componentes de grafite convencionais ou não revestidos, as câmaras de reação protegidas por revestimentos de SiC oferecem uma vida útil várias vezes mais longa. Isto se deve principalmente à proteção abrangente do substrato pelo revestimento, evitando o contato direto com gases corrosivos do processo. Essa vida útil estendida se traduz diretamente em benefícios de custo significativos: os clientes podem reduzir substancialmente o tempo de inatividade do equipamento, a aquisição de peças sobressalentes e os custos de mão de obra de manutenção associados à substituição periódica de componentes da câmara, reduzindo efetivamente os custos operacionais gerais de produção.
5. Endosso de verificação da cadeia ecológica
A verificação da cadeia ecológica da câmara do reator epitaxial revestida com SiC da Veteksemicon cobre as matérias-primas até a produção, passou pela certificação de padrão internacional e possui uma série de tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos campos de semicondutores e novas energias.
Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou arranjos de testes de amostra, entre em contato com nossa equipe de suporte técnico para explorar como a Veteksemicon pode melhorar a eficiência do seu processo.
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Direção da aplicação |
Cenário típico |
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Fabricação de semicondutores de potência |
SiC MOSFET e crescimento epitaxial de diodo |
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Dispositivos RF |
Processo epitaxial do dispositivo GaN-on-SiC RF |
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Optoeletrônica |
Processamento de substrato epitaxial LED e laser |
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