Revestimento de carboneto de silício

O chuveiro de grafite revestido com CVD SiC da veteksemicon é um componente de alto desempenho projetado especificamente para processos de deposição de vapor químico semicondutores (CVD). Fabricado a partir de grafite de alta pureza e protegido com um revestimento de carboneto de silício de deposição de vapor químico (CVD), esta cabeça de chuveiro oferece excelente durabilidade, estabilidade térmica e resistência a gases de processo corrosivo. Ansioso por sua consulta adicional.

O porta-bolas de revestimento de carboneto de silício por veteksemicon é projetado para precisão e desempenho em processos avançados de semicondutores, como MOCVD, LPCVD e recozimento de alta temperatura. Com um revestimento uniforme de CVD SiC, esse suporte para wafer garante condutividade térmica excepcional, inércia química e resistência mecânica-essencial para o processamento de wafer de alto rendimento e livre de contaminação.

VETEKSEMICON ALTAMENTOS SIC DE PORTULAÇÃO DE HIA PORTULAÇÃO, projetados especialmente para equipamentos de gravura semicondutores, apresentam excelente resistência à corrosão e estabilidade térmica, aumentando significativamente o rendimento da bolacha

Como fabricante chinesa e fornecedora chinesa de produtos de revestimento de carboneto de silício, o portador de bolacha revestido com SiC da VetekSemicon para a gravação desempenha um papel central insubstituível no processo de gravação, com sua excelente estabilidade de alta temperatura, resistência à corrosão excepcional e alta condutividade térmica.

Susceptador de wafer revestido com CVD SiC da VetekSemicon é uma solução de ponta para processos epitaxiais de semicondutores, oferecendo pureza ultra-alta (≤100ppb, ICP-E10 certificada) e estabilidade térmica/química excepcional para o crescimento de contaminação. Projetado com tecnologia CVD de precisão, suporta bolachas de 6 ”/8”/12 ”, garante tensão térmica mínima e suporta temperaturas extremas até 1600 ° C.

Nosso susceptador planetário revestido com SiC é um componente central no processo de alta temperatura da fabricação de semicondutores. Seu projeto combina substrato de grafite com revestimento de carboneto de silício para obter otimização abrangente do desempenho do gerenciamento térmico, estabilidade química e resistência mecânica.