Susceptador planetário revestido com SIC

O susceptador planetário revestido com SIC é um portador planetário revestido comcarboneto de silício (sic), que é usado principalmente em processos de deposição de material semicondutores, como deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD), epitaxia de feixe molecular (MBE), etc. Sua principal função é transportar e girar as bolachas para garantir a uniformidade do material e a consistência do campo térmico durante o processo de deposição. Sua principal função é transportar e girar as bolachas para garantir a uniformidade do material e a consistência do campo térmico durante a deposição, e o revestimento SiC fornece ao transportador excelente resistência à alta temperatura, resistência à corrosão e condutividade térmica para semicondutor de alta precisãowaferprocessamento.

Cenários de aplicação centrais para susceptador planetário revestido com SiC

Processo de crescimento epitaxial do MOCVD

No processo de MOCVD, o susceptador planetário revestido com SiC é usado principalmente para transportar bolachas de silício (SI), carboneto de silício (sic), nitreto de gálio (GAN), arseneto de gálio (GAAs) e outros materiais.

● Requisitos funcionais: Posicionamento preciso e rotação sincronizada das bolachas para garantir a distribuição uniforme de materiais depositados por vapor na superfície da wafer e melhorar a uniformidade da espessura e composição do filme.

● Vantagem: Os revestimentos do SIC são altamente resistentes à corrosão e podem suportar a erosão de precursores metal-orgânicos altamente reativos, como trimetilgallium (TMGA) e trimetilindium (TMIN), prolongando sua vida útil.

Manufatura de dispositivos de energia de carboneto de silício (SIC)

O susceptador planetário revestido com SiC é amplamente utilizado no crescimento epitaxial de dispositivos de energia SiC, como MOSFET, IGBT, SBD e outros dispositivos.

● Requisitos funcionais: Forneça uma plataforma estável de equalização térmica em ambientes de alta temperatura para garantir a qualidade da cristalização da camada epitaxial e o controle de defeitos.

● Vantagem: Os revestimentos de SiC são resistentes à alta temperatura (> 1600 ° C) e têm um coeficiente de expansão térmica (4,0 × 10^-6 k^-1) próxima à das bolachas de carboneto de silício, que reduzem efetivamente o estresse térmico e melhora a qualidade e a estabilidade da camada epitaxial.

Deep Ultravioleta (DUV) e Ultravioleta LED EPITAXIAL MANUFACTURAÇÃO

O susceptador planetário revestido com SiC é adequado para o crescimento epitaxial de materiais como nitreto de gálio (GaN) e nitreto de gálio de alumínio (Algan) e é amplamente utilizado na fabricação de LEDs de UV e micro-LEDs.

● Requisitos funcionais: Mantenha o controle preciso da temperatura e a distribuição uniforme do fluxo de ar para garantir a precisão do comprimento de onda e o desempenho do dispositivo.

● Vantagem: Alta condutividade térmica e resistência a oxidação permitem excelente estabilidade a altas temperaturas por longos períodos de operação, ajudando a melhorar a eficiência luminosa e a consistência dos chips LED.

Escolha Vekemicon

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