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Nos últimos anos, com o desenvolvimento contínuo da indústria eletrônica,o semicondutor de terceira geraçãoos materiais tornaram-se uma nova força motriz para o desenvolvimento da indústria de semicondutores. Como um representante típico dos materiais semicondutores de terceira geração, o SiC tem sido amplamente utilizado na área de fabricação de semicondutores, especialmente emcampo térmicoMateriais, devido às suas excelentes propriedades físicas e químicas.
Então, o que exatamente é o revestimento de SiC? E o que éRevestimento CVD SiC?
O SIC é um composto ligado covalentemente com alta dureza, excelente condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão térmica e alta resistência à corrosão. Sua condutividade térmica pode atingir 120-170 W/M · K, mostrando excelente condutividade térmica na dissipação de calor do componente eletrônico. Além disso, o coeficiente de expansão térmica do carboneto de silício é de apenas 4,0 × 10-6/k (na faixa de 300-800 ℃), o que permite manter a estabilidade dimensional em ambientes de alta temperatura, reduzindo bastante a deformação ou falha causada por térmico térmico estresse. O revestimento de carboneto de silício refere -se a um revestimento feito de carboneto de silício preparado na superfície das peças por deposição de vapor físico ou químico, pulverização, etc.
Deposição química de vapor (CVD)Atualmente, é a principal tecnologia para preparar o revestimento SiC em superfícies de substrato. O principal processo é que os reagentes da fase gasosa passam por uma série de reações físicas e químicas na superfície do substrato e, finalmente, o revestimento CVD SiC é depositado na superfície do substrato.
Dados Sem do Revestimento CVD SiC
Como o revestimento de carboneto de silício é tão poderoso, no qual os vínculos da fabricação de semicondutores tem desempenhado um papel enorme? A resposta são os acessórios de produção de epitaxia.
O revestimento SIC tem a principal vantagem de corresponder perfeitamente ao processo de crescimento epitaxial em termos de propriedades do material. A seguir estão as funções e razões importantes do revestimento SIC emSusceptor epitaxial de revestimento SIC:
1. Alta condutividade térmica e resistência a altas temperaturas
A temperatura do ambiente de crescimento epitaxial pode atingir acima de 1000 ℃. O revestimento SiC possui condutividade térmica extremamente alta, que pode efetivamente dissipar o calor e garantir a uniformidade da temperatura do crescimento epitaxial.
2. Estabilidade química
O revestimento de SiC possui excelente inércia química e pode resistir à corrosão por gases e produtos químicos corrosivos, garantindo que não reaja negativamente com os reagentes durante o crescimento epitaxial e mantenha a integridade e a limpeza da superfície do material.
3. Constante de rede correspondente
No crescimento epitaxial, o revestimento de SiC pode ser bem combinado com uma variedade de materiais epitaxiais devido à sua estrutura cristalina, o que pode reduzir significativamente a incompatibilidade da rede, reduzindo assim os defeitos do cristal e melhorando a qualidade e o desempenho da camada epitaxial.
4. Baixo coeficiente de expansão térmica
O revestimento de SiC tem um baixo coeficiente de expansão térmica e é relativamente próximo ao dos materiais epitaxiais comuns. Isso significa que em altas temperaturas não haverá tensões severas entre a base e o revestimento de SiC devido à diferença nos coeficientes de expansão térmica, evitando problemas como descascamento do material, trincas ou deformações.
5. Alta dureza e resistência ao desgaste
O revestimento SiC possui dureza extremamente alta, portanto, cobri -lo na superfície da base epitaxial pode melhorar significativamente sua resistência ao desgaste e prolongar sua vida útil, garantindo que a geometria e a natidão da superfície da base não sejam danificadas durante o processo epitaxial.
Seção transversal e imagem de superfície do revestimento SiC
Além de ser um acessório para produção epitaxial,O revestimento de SiC também apresenta vantagens significativas nessas áreas:
Portadores de wafer semicondutores:Durante o processamento de semicondutores, o manuseio e o processamento das bolachas requerem limpeza e precisão extremamente alta. O revestimento SiC é frequentemente usado em portadores de bolacha, suportes e bandejas.
Transportador de wafer
Anel de pré-aquecimento:O anel de pré -aquecimento está localizado no anel externo da bandeja do substrato epitaxial Si e é usado para calibração e aquecimento. É colocado na câmara de reação e não entra em contato diretamente com a bolacha.
Anel de pré-aquecimento
A parte superior em forma de meia-lua é portadora dos demais acessórios da câmara de reação doDispositivo de epitaxia SiC, que é controlado e instalado em temperatura na câmara de reação sem contato direto com a wafer. A parte inferior da meia-lua é conectada a um tubo de quartzo que introduz gás para acionar a rotação base. É controlado por temperatura, instalado na câmara de reação e não entra em contato direto com a bolacha.
Parte superior em meia-lua
Além disso, há cadinho derretido para evaporação na indústria de semicondutores, portão de tubo eletrônico de alta potência, pincel que entra em contato com o regulador de tensão, monocromador de grafite para raios-X e nêutrons, várias formas de substratos de grafite e revestimento do tubo de absorção atômica, etc., o revestimento SiC está desempenhando um papel cada vez mais importante.
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