SiC Coating Ald Susceptor

É semicondutorSiC Coating Ald Susceptordesempenha um papel vital na deposição da camada atômica (Ald) processo. Seu controle preciso da temperatura, distribuição uniforme de gás, alta resistência química e excelente condutividade térmica garantem a uniformidade e a alta qualidade do processo de deposição do filme. Se você quiser saber mais, pode nos consultar imediatamente e nós o responderemos a tempo!

Controle preciso da temperatura:

SiC Ald Susceptor geralmente possui um sistema de controle de temperatura de alta precisão. É capaz de manter um ambiente de temperatura uniforme ao longo do processo de deposição, o que é crucial para garantir a uniformidade e a qualidade do filme.

Distribuição de gás uniforme:

O design otimizado do SiC de revestimento ALD Suscepts garante a distribuição uniforme do gás durante o processo de deposição de ALD. Sua estrutura geralmente inclui múltiplas peças rotativas ou móveis para promover a cobertura uniforme de gases reativos em toda a superfície da wafer.

Alta resistência química:

Como o processo de ALD envolve uma variedade de gases químicos, o SiC Ald Susceptor geralmente é feito de materiais resistentes à corrosão (como platina, cerâmica ou quartzo de alta pureza) para resistir à erosão de gases químicos e à influência de ambientes de alta temperatura.

Excelente condutividade térmica:

Para conduzir efetivamente o calor e manter uma temperatura estável de deposição, os suscetores de revestimento SiC ALD geralmente usam materiais de alta condutividade térmica. Isso ajuda a evitar superaquecimento local e depoimento desigual.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC:

Lojas de produção:

Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores：