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Bolachas de nitreto de alumínio (AlN)
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Bolachas de nitreto de alumínio (AlN)

A VeTek Semiconductor fornece wafers e substratos de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) de alta qualidade para dispositivos semicondutores de banda ultra larga de próxima geração. Com um bandgap ultralargo de aproximadamente 6,2 eV, excelente condutividade térmica, isolamento elétrico excepcional e excelente combinação de rede e expansão térmica com GaN, os wafers de AlN são ideais para dispositivos de RF de alta potência, eletrônica de potência de alta tensão e optoeletrônica ultravioleta profunda (DUV).


1. Principais recursos e vantagens

• Gap de banda ultralargo ≈ 6,2 eV - o mais alto entre os materiais semicondutores convencionais

• Alta condutividade térmica ≈ 320 W/m·K para dissipação de calor eficiente

• Excelente isolamento elétrico (>10¹³ Ω·cm) e alto campo de ruptura (12–15 MV/cm)

• Boa combinação de rede e expansão térmica com GaN - ideal para heteroestruturas GaN-on-AlN

• Opções de baixa densidade de deslocamento com controle rígido da curva oscilante HR-XRD

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) e N-face MP para superfícies epi-prontas

• Vários tamanhos e graus de qualidade (P/R/D) para atender aos requisitos de produção e pesquisa

2. Aplicações Típicas

• Dispositivos RF de alta potência para radar e comunicações 6G

• Eletrônica de potência de alta tensão para rede, data centers e veículos elétricos

• LEDs ultravioleta profundo (UVC) e diodos laser

• Crescimento epitaxial de GaN-on-AlN e dispositivos avançados de heteroestrutura

• Componentes semicondutores de alta temperatura, alta frequência e ambientes agressivos

3. Tamanhos disponíveis e graus de qualidade

A VeTek oferece wafers AlN nos seguintes formatos padrão. Tamanhos e especificações personalizados podem ser discutidos mediante solicitação.

• Substratos quadrados de 10 × 10 mm

• Bolachas de 1 polegada (25,4 mm)

• Bolachas de 2 polegadas (50,8 mm)

Graus de qualidade: Grau P (Produto), Grau R (Pesquisa), Grau D (Experimental), diferenciados principalmente pela curva de balanço HR-XRD FWHM e qualidade geral do cristal.

4. Principais especificações técnicas

Parâmetros comuns entre tamanhos (valores típicos; dependentes da nota, quando indicado):

Parâmetro

Grau P

Grau R

Grau D

Orientação

(0001) ± 0,5°

Grossura

450 μm ± 25 μm

HR-XRD FWHM (002)

≤ 100 segundos de arco

≤ 200 segundos de arco

≤ 300 segundos de arco

HR-XRD FWHM (102)

≤ 80 segundos de arco

≤ 150 segundos de arco

≤ 250 segundos de arco

Polimento de superfície

Al-face CMP, N-face MP

Rugosidade superficial Ra

Al ≤ 0,5 nm; N ≤ 1,2 μm

Arranhões/lascas (a olho nu)

Nenhum

Exclusão de borda

1mm

Embalagem

Caixa de wafer único

Tolerâncias geométricas específicas de tamanho:

• 10×10 mm: Comprimento lateral 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Arco ≤ 15 μm

• 1 polegada: Diâmetro 25,4 mm ± 0,5 mm; Área útil ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; Arco ≤ 20 μm; Plano primário (10-10) ± 5°, comprimento 8 mm ± 1mm

• 2 polegadas: Diâmetro 50,8 mm ± 0,5 mm; Área útil ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; Arco ≤ 30 μm; Comprimento plano primário 16 mm ± 2 mm

5. Por que escolher os wafers VeTek AlN?

Como fornecedor especializado de materiais e componentes semicondutores avançados, a VeTek Semiconductor fornece:

• Wafers de cristal único AlN de alta qualidade com qualidade de cristal controlada e superfícies epi-prontas

• Múltiplas opções de tamanho e qualidade para apoiar programas de pesquisa e produção de dispositivos

• Soluções complementares de wafer e substrato no portfólio de materiais semicondutores VeTek

• Suporte técnico para seleção de materiais e correspondência de processos

Nossos wafers AlN ajudam os clientes a acelerar o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos de RF de alta potência, energia de alta tensão e UV profundo que exigem a combinação exclusiva de bandgap ultralargo, alta condutividade térmica e compatibilidade de GaN oferecida pelo nitreto de alumínio.


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