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Wafers Piezoelétricos PZT (PZT em Si/SOI)
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Wafers Piezoelétricos PZT (PZT em Si/SOI)

À medida que a demanda por transdutores MEMS de alta sensibilidade e baixa potência cresce com a expansão das comunicações 5G, dispositivos médicos de precisão e wearables inteligentes, nossos wafers PZT em Si/SOI fornecem uma solução de material crítica. Utilizando processos avançados de deposição de filmes finos, como Sol-gel ou sputtering, alcançamos consistência excepcional e desempenho piezoelétrico superior em substratos de silício. Esses wafers servem como núcleo fundamental para a conversão de energia eletromecânica.

1. Arquitetura Técnica

Nossos wafers apresentam uma sofisticada estrutura de pilha multicamadas projetada para garantir adesão, condutividade e resposta piezoelétrica ideais durante o processamento complexo de MEMS:

 ●Eletrodo Superior (Camada Chave): Pt (Platina).

Camada Piezo (Camada Central): PZT.

Camadas Intermediárias: Inclui camada tampão, eletrodo inferior e camada de adesão para otimizar a orientação dos grãos e a estabilidade estrutural.

Substrato: Compatível com wafers Si ou SOI.


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. Garantia de qualidade e análise de microestrutura

Garantimos alta confiabilidade através de rigorosa caracterização técnica:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●Análise SEM: Imagens de microscopia eletrônica de varredura (SEM) revelam uma morfologia de superfície densa e livre de rachaduras, com distribuição uniforme de tamanho de grão, ideal para aplicações MEMS de alta confiabilidade.

 ●Caracterização XRD: Os padrões de difração de raios X (XRD) confirmam a formação da fase perovskita pura com uma orientação preferencial forte (100), garantindo coeficientes máximos de desempenho piezoelétrico.


3. Especificações Técnicas (Características)

Características do PZT
PZT policristalino
Constante piezoelétrica d31
200pC/N
Coeficiente piezoelétrico e31
-14 C/m²
Temperatura curie
X℃
Tamanhos de wafer
4/6/8 polegadas disponíveis


4. Aplicativos principais


 ● Transdutores ultrassônicos microusinados piezoelétricos (pMUT): Matrizes miniaturizadas de alta frequência para sensores de impressão digital, reconhecimento de gestos e radar ultrassônico automotivo.

 ● Comunicação: Chave para fabricação de filtros FBAR ou SAW em 5G/6G para obter largura de banda mais ampla e menor perda de inserção.

 ● MEMS acústicos: Fornece resposta transitória poderosa para alto-falantes MEMS e melhora a relação sinal-ruído (SNR) para microfones MEMS.

 ● Controle preciso de fluidos: Vibração de alta velocidade via modo d31 para controle preciso em escala de nanolitros do volume de gotas em cabeçotes de impressão a jato de tinta.

 ● Medicina e Beleza (Microbombeamento): Aciona nebulizadores médicos ou bombas ultrassônicas cosméticas com alta confiabilidade e tamanho compacto.


5. Serviços de personalização

Além da deposição padrão em wafers de Si, também fornecemos serviços de deposição personalizados:

 ●Personalização de filme e espessura: Deposição de tipos de filmes específicos e espessuras personalizadas de acordo com os requisitos do projeto.

 ●Fundição OEM: Aceitação de wafers fornecidos por clientes para crescimento de filmes finos piezoelétricos de alta qualidade.

 ●Suporte para substrato SOI: Deposição especializada em wafers SOI com as seguintes especificações:


Bolacha de substrato SOI
Tamanho
Resistência superior ao Si
grossura
dopante
Camada de caixa
6 polegadas, 8 polegadas
> 5000 ohm/cm




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