LPE Halfmoon sic epi reator

LPE Halfmoon sic epi reatoré um dispositivo projetado especificamente para produzir alta qualidadeEpitaxial de carboneto de silício (sic)Camadas, onde o processo epitaxial ocorre na câmara de reação de meia-lua LPE, onde o substrato é exposto a condições extremas, como alta temperatura e gases corrosivos. Para garantir a vida de serviço e o desempenho dos componentes da câmara de reação, a deposição de vapor químico (CVD)Revestimento sicé geralmente usado. 

LPE Halfmoon sic epi reatorComponentes:

Câmara de reação principal: A principal câmara de reação é feita de materiais resistentes à alta temperatura, como o carboneto de silício (sic) egrafite, que têm resistência a corrosão química extremamente alta e resistência à alta temperatura. A temperatura de operação é geralmente entre 1.400 ° C e 1.600 ° C, o que pode apoiar o crescimento de cristais de carboneto de silício em condições de alta temperatura. A pressão operacional da câmara de reação principal está entre 10^-3e 10^-1MBAR e a uniformidade do crescimento epitaxial podem ser controlados ajustando a pressão.

Componentes de aquecimento: Aquecedores de grafite ou carboneto de silício (SIC) são geralmente usados, o que pode fornecer uma fonte de calor estável em condições de alta temperatura.

A principal função do reator EPI de meia-lua LPE é para cultivar epitaxialmente filmes de carboneto de silício de alta qualidade. Especificamente,é manifestado nos seguintes aspectos:

Crescimento da camada epitaxial: Através do processo de epitaxia da fase líquida, camadas epitaxiais extremamente baixas podem ser cultivadas em substratos SiC, com uma taxa de crescimento de cerca de 1 a 10μm/h, o que pode garantir uma qualidade de cristal extremamente alta. Ao mesmo tempo, a taxa de fluxo de gás na câmara de reação principal é geralmente controlada de 10 a 100 SCCM (centímetros cúbicos padrão por minuto) para garantir a uniformidade da camada epitaxial.

Estabilidade de alta temperatura: As camadas epitaxiais do SIC ainda podem manter um excelente desempenho sob ambientes de alta temperatura, alta pressão e alta frequência.

Reduzir a densidade de defeitos: O projeto estrutural exclusivo do reator EPI de meia -lua SIC de LPE pode reduzir efetivamente a geração de defeitos de cristal durante o processo de epitaxia, melhorando assim o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

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Dados SEM de estrutura de cristal de filme CVD SIC:

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC：

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