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Na fabricação de semicondutores, oPlanarização Químico-Mecânica (CMP)O processo é o estágio central para alcançar a planarização da superfície do wafer, determinando diretamente o sucesso ou o fracasso das etapas subsequentes da litografia. Como consumível crítico no CMP, o desempenho da pasta de polimento é o fator final no controle da taxa de remoção (TR), minimizando defeitos e melhorando o rendimento geral.
Este guia fornece uma análise sistemática da estrutura técnica da pasta CMP e explora como manter a estabilidade do processo em ambientes de produção complexos para obter redução de custos e ganhos de eficiência.
I. Composição Típica da Pasta CMP
Uma pasta CMP típica é um produto sinérgico de ação química e força físico-mecânica, consistindo nos seguintes componentes primários:
Abrasivos: Fornecem recursos de remoção mecânica. Os tipos comuns incluem sílica, céria e alumina de tamanho nanométrico.
Oxidantes: Aumentam as taxas de reação química oxidando a superfície do metal; exemplos comuns incluem H₂O₂ ou sais de ferro.
Agentes Quelantes: Formam complexos com íons metálicos para facilitar a dissolução.
Inibidores de corrosão: melhoram a seletividade do material suprimindo a corrosão em áreas não alvo.
Aditivos: Incluem ajustadores de pH e dispersantes usados para manter a janela de reação e a estabilidade do sistema.
Os comportamentos químicos e físicos da lama devem corresponder precisamente às características do material alvo; caso contrário, serão introduzidos defeitos como arranhões, distorções e corrosão.①
II. Sistemas de Polpa para Diferentes Materiais
Porque as propriedades materiais de vários wafersas camadas do filme diferem significativamente, as pastas devem ser personalizadas e direcionadas:
|
Tipo de material alvo |
Tipo de pasta comum |
Características principais |
|
Dióxido de Silício (SiO₂) |
Pasta de sílica coloidal |
Taxa de remoção moderada com alta seletividade |
|
Cobre (Cu) |
Sistema composto com oxidantes/quelantes/inibidores |
Suscetível à corrosão; impulsionado principalmente pelo controle químico |
|
Tungstênio (W) |
Combinação de sal de ferro + abrasivo |
Requer supressão de corrosão e distorções; janela de processo estreita |
|
Tântalo/Nitreto de Tântalo (Ta/TaN) |
Pasta de alta seletividade, frequentemente compartilhada com Cu |
Normalmente combinado com processos de cobre; requisitos extremamente elevados para controle de defeitos |
|
Materiais de baixo k |
Sistema de polimento químico sem abrasivos |
Previne microfissuras; alto risco de quebra do filme |
III. Principais métricas de desempenho
Ao avaliar o potencial de ganhos de eficiência, os seguintes indicadores técnicos são vitais:
Taxa de remoção (RR): A espessura do material removido por unidade de tempo (nm/min), que impacta diretamente o rendimento da fábrica.
Seletividade: A relação entre a taxa de remoção do material alvo e a dos materiais adjacentes; maior seletividade protege melhor as camadas não-alvo.
Não uniformidade dentro do wafer (WIWNU): Mede a consistência da planarização em toda a superfície do wafer.
Defectividade: Inclui métricas críticas que eliminam o rendimento, como arranhões e resíduos de micropartículas. Estabilidade da pasta: A capacidade da pasta de resistir à estriação, aglomeração ou sedimentação durante o armazenamento e uso.
IV. Melhores práticas da indústria para melhorar a estabilidade do processo
Para alcançar "redução de custos e aumento de eficiência" a longo prazo, as principais empresas de semicondutores concentram-se nas seguintes práticas de gestão de estabilidade:
Equilíbrio preciso de forças químicas e mecânicas: Ao ajustar com precisão a proporção de abrasivos em relação aos componentes químicos, o equilíbrio da reação é mantido no nível molecular, reduzindo defeitos de distribuição na fonte.
Estabilidade de fluidos e gerenciamento de filtragem: O controle rigoroso das flutuações de pH dentro do sistema de circulação de polpa, combinado com a tecnologia de filtragem de alta eficiência, evita a volatilidade dos riscos causada pela aglomeração de partículas.
Correspondência de processo personalizada: Pastas específicas são desenvolvidas para durezas físicas variadas (por exemplo, SiC de alta dureza ou materiais frágeis de baixo k) para maximizar a janela do processo.
Padrões de monitoramento de consistência: O estabelecimento de uma estratégia rigorosa de controle de lote garante que métricas importantes como RR e WIWNU permaneçam consistentes durante toda a produção em massa.
Aautor:Sera Lee
Referência:
①Seleção de pasta CMP: uma perspectiva de materiais - AZoM
②Visão geral da química da pasta de planarização mecânica química - Entegris


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