Susceptador planetário de revestimento TAC

No reino da fabricação de semicondutores, o susceptador planetário de revestimento TAC desempenha um papel crucial. É amplamente utilizado no crescimento de camadas epitaxiais de carboneto de silício (SIC) em equipamentos como o sistema Aixtron G5. Além disso, quando usado como um disco externo na deposição de revestimento de carboneto de tântalo (TAC) para epitaxia SiC, o susceptador planetário de revestimento TAC fornece suporte e estabilidade essenciais. Ele garante a deposição uniforme da camada de carboneto de tântalo, contribuindo para a formação de camadas epitaxiais de alta qualidade com excelente morfologia da superfície e espessura desejada do filme. A inércia química do revestimento TAC impede reações e contaminação indesejadas, mantendo a integridade das camadas epitaxiais e garantindo sua qualidade superior.

A excepcional condutividade térmica do revestimento TAC permite transferência de calor eficiente, promovendo a distribuição de temperatura uniforme e minimizando o estresse térmico durante o processo de crescimento epitaxial. Isso resulta na produção de camadas epitaxiais SiC de alta qualidade com propriedades cristalográficas aprimoradas e condutividade elétrica aprimorada.

As dimensões precisas e a construção robusta do disco planetário de revestimento TAC facilitam a integração nos sistemas existentes, garantindo compatibilidade perfeita e operação eficiente. Seu desempenho confiável e revestimento TAC de alta qualidade contribuem para resultados consistentes e uniformes em processos de epitaxia SiC.

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