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Anel de defletor revestido com TAC
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Anel de defletor revestido com TAC

O anel de defletor revestido com TAC semicondutor é um componente altamente especializado projetado para processos de crescimento de cristais SiC. O revestimento TAC fornece excelente resistência à alta temperatura e inércia química para lidar com as altas temperaturas e ambientes corrosivos durante o processo de crescimento de cristais. Isso garante desempenho estável e vida útil longa do componente, reduzindo a frequência de substituição e tempo de inatividade. Estamos comprometidos em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

O VETEK SEMICONDUCOR é um fabricante profissional de anel de defletor coberto de China TAC. Nosso anel de defletor revestido com TAC são componentes altamente especializados projetados para uso em processos de crescimento de cristais SiC. Esses componentes são críticos em ambientes que requerem alta resistência à temperatura, durabilidade excepcional e inércia química incomparável.

O anel defletor revestido de TAC é fabricado a partir de carboneto de alta pureza, que oferece excelente condutividade térmica e extrema resistência a altas temperaturas e choque térmico. O revestimento TAC do componente fornece uma camada adicional de proteção contra produtos químicos agressivos e ambientes severos comuns no crescimento de cristais. A presença do revestimento aumenta a durabilidade e a vida útil do componente, mantendo o desempenho consistente em vários ciclos.

O anel de defletor revestido com TAC pode suportar temperaturas de até 2200 ° C, tornando -o ideal para processos de alta temperatura. O anel de defletor revestido de TAC é usado principalmente na indústria de semicondutores, especificamente para o crescimento de cristais de carboneto de silício. Adequado para os reatores de crescimento de cristais de pesquisa e escala industrial.


Parâmetro do produto do anel de defletor revestido com TAC

Propriedades físicas do revestimento TAC
Densidade 14.3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6,3 × 10-6/K
Dureza (hk) 2000 HK
Resistência 1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500 ℃
Mudanças de tamanho de grafite -10 ~ -20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


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Visão geral da cadeia da indústria de epitaxia de chips semicondutores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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