Epi Susceptor Revestido com Carboneto de Silício

A epitaxia semicondutora refere-se ao crescimento de uma película fina com uma estrutura de rede específica na superfície de um material de substrato por métodos como fase gasosa, fase líquida ou deposição por feixe molecular, de modo que a camada de película fina recém-crescida (camada epitaxial) tenha o estrutura de rede e orientação iguais ou semelhantes às do substrato. 

A tecnologia epitaxia é crucial na fabricação de semicondutores, especialmente na preparação de filmes finos de alta qualidade, como camadas monocristalinas, heteroestruturas e estruturas quânticas usadas para fabricar dispositivos de alto desempenho.

O Susceptador de EPI revestido com carboneto de silício é um componente essencial usado para apoiar o substrato no equipamento de crescimento epitaxial e é amplamente utilizado na epitaxia de silício. A qualidade e o desempenho do pedestal epitaxial afetam diretamente a qualidade do crescimento da camada epitaxial e desempenham um papel vital no desempenho final dos dispositivos semicondutores.

A VeTek Semiconductor revestiu uma camada de revestimento SIC na superfície do grafite SGL pelo método CVD e obteve um susceptor epi revestido com SiC com propriedades como resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, resistência à corrosão e uniformidade térmica.

Em um reator típico de barril, o suscetente de EPI revestido com carboneto de silício tem uma estrutura de barril. A parte inferior do susceptador de EPI revestida com SiC é conectada ao eixo rotativo. Durante o processo de crescimento epitaxial, mantém a rotação alternada no sentido horário e no sentido anti -horário. O gás de reação entra na câmara de reação através do bico, de modo que o fluxo de gás forma uma distribuição bastante uniforme na câmara de reação e finalmente forma um crescimento uniforme da camada epitaxial.

A relação entre a mudança de massa da grafite revestida com SiC e o tempo de oxidação

Os resultados dos estudos publicados mostram que em 1400 ℃ e 1600 ℃, a massa de grafite revestida com SiC aumenta muito pouco. Ou seja, a grafite revestida com SiC tem uma forte capacidade antioxidante. Portanto, o susceptador de EPI revestido com SiC pode trabalhar por um longo tempo na maioria dos fornos epitaxiais. Se você tiver mais requisitos ou necessidades personalizadas, entre em contato conosco. Estamos comprometidos em fornecer soluções de susceptores Epi revestidos com SiC da melhor qualidade.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

É semicondutorLOJAS DE SUSCETOR DE EPI CABILIDADES DE SILICON CARBIE