Peças de grafite de meia -lua de revestimento sic

Na câmara de reação do forno de crescimento epitaxial de SiC, as peças de grafite Halfmoon do revestimento de SiC são componentes essenciais para otimizar a distribuição do fluxo de gás, o controle do campo térmico e a uniformidade da atmosfera de reação. Eles geralmente são feitos de revestimento de SiCgrafite, projetado em uma forma de meia-lua, localizada nas partes de grafite superior e inferior da câmara de reação, ao redor da área do substrato.

    •Parte de grafite de meia -lua superior: Instalado na parte superior da câmara de reação, perto da entrada de gás, responsável por orientar o gás de reação a fluir em direção à superfície do substrato.

    •Parte de grafite de meia -lua inferior: Localizado na parte inferior da câmara de reação, geralmente abaixo do suporte do substrato, usado para controlar a direção do fluxo do gás e otimizar o campo térmico e a distribuição de gás na parte inferior do substrato.

Durante oProcesso de epitaxia SiC, a parte de grafite superior da meia-lua ajuda a guiar o fluxo de gás para ser distribuído uniformemente no substrato, impedindo que o gás afete diretamente a superfície do substrato e causando superaquecimento local ou turbulência do fluxo de ar. A parte de grafite de meia-lua inferior permite que o gás flua suavemente através do substrato e depois seja descarregado, impedindo que a turbulência afete a uniformidade do crescimento da camada epitaxial.

Em termos de regulação do campo térmico, as peças de grafite Halfmoon com revestimento SiC ajudam a distribuir uniformemente o calor na câmara de reação através da forma e da posição. A parte superior de grafite em meia-lua pode refletir efetivamente o calor radiante do aquecedor para garantir que a temperatura acima do substrato seja estável. A parte inferior de grafite em forma de meia-lua também desempenha um papel semelhante, ajudando a distribuir uniformemente o calor abaixo do substrato através da condução de calor para evitar diferenças excessivas de temperatura.

O revestimento SiC torna os componentes resistentes a altas temperaturas e térmico condutor, portanto, as peças de meia -lua do vetek semicondutor têm uma longa vida útil de serviço. Cuidadosamente projetados, nossas peças de grafite de meia luta para epitaxia do SiC podem ser perfeitamente integradas a muitos reatores epitaxiais, ajudando a melhorar a eficiência e a confiabilidade geral do processo de fabricação de semicondutores. Quaisquer que sejam as suas necessidades de peças de grafite de meia -lua do SIC, entre em contato com o vetek semicondutor.

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