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A evolução do CVD-SiC de revestimentos de película fina para materiais a granel10 2026-04

A evolução do CVD-SiC de revestimentos de película fina para materiais a granel

Materiais de alta pureza são essenciais para a fabricação de semicondutores. Esses processos envolvem calor extremo e produtos químicos corrosivos. CVD-SiC (Carbeto de Silício por Deposição de Vapor Químico) fornece a estabilidade e resistência necessárias. É agora a principal escolha para peças de equipamentos avançados devido à sua alta pureza e densidade.
O gargalo invisível no crescimento do SiC: Por que a matéria-prima 7N Bulk CVD SiC está substituindo o pó tradicional07 2026-04

O gargalo invisível no crescimento do SiC: Por que a matéria-prima 7N Bulk CVD SiC está substituindo o pó tradicional

No mundo dos semicondutores de carboneto de silício (SiC), a maior parte dos holofotes está nos reatores epitaxiais de 8 polegadas ou nas complexidades do polimento de wafer. No entanto, se rastrearmos a cadeia de abastecimento até ao início – dentro do forno de Transporte Físico de Vapor (PVT) – uma “revolução material” fundamental está a ocorrer silenciosamente.
Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração20 2026-03

Wafers piezoelétricos PZT: soluções de alto desempenho para MEMS de última geração

Na era da rápida evolução dos MEMS (sistemas microeletromecânicos), selecionar o material piezoelétrico certo é uma decisão decisiva para o desempenho do dispositivo. Os wafers de película fina PZT (Titanato de Zirconato de Chumbo) surgiram como a principal escolha em relação a alternativas como AlN (Nitreto de Alumínio), oferecendo acoplamento eletromecânico superior para sensores e atuadores de última geração.
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