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SiC Single Crystal Growth Process Oars Parts

Produto de veteksemicon, orevestimento de carboneto de tântalo (tac)Produtos para o processo de crescimento de cristal único SiC, aborda os desafios associados à interface de crescimento dos cristais de carboneto de silício (SIC), particularmente os defeitos abrangentes que ocorrem na borda do cristal. Ao aplicar o revestimento TAC, nosso objetivo é melhorar a qualidade do crescimento de cristais e aumentar a área efetiva do centro do cristal, o que é crucial para alcançar um crescimento rápido e espesso.


O revestimento TAC é uma solução tecnológica central para o crescimento de alta qualidadeSic processo de crescimento de cristal único. Desenvolvemos com sucesso uma tecnologia de revestimento TAC usando deposição de vapor químico (CVD), que atingiu um nível internacionalmente avançado. O TAC possui propriedades excepcionais, incluindo um alto ponto de fusão de até 3880 ° C, excelente resistência mecânica, dureza e resistência ao choque térmico. Ele também exibe boa inércia química e estabilidade térmica quando exposto a altas temperaturas e substâncias como amônia, hidrogênio e vapor contendo silício.


Vekekemiconrevestimento de carboneto de tântalo (tac)Oferece uma solução para abordar os problemas relacionados à borda no processo de crescimento de cristais de SiC, melhorando a qualidade e a eficiência do processo de crescimento. Com nossa tecnologia avançada de revestimento TAC, pretendemos apoiar o desenvolvimento da indústria de semicondutores de terceira geração e reduzir a dependência de materiais importantes importados.


Método Pvt SiC SiC Crystal Growth Process Orar Parts:

PVT method SiC Single crystal growth process



O cadinho revestido de TAC, suporte de semente com revestimento TAC, anel da guia de revestimento TAC são peças importantes no forno de cristal único SiC e Ain pelo método PVT.

Recurso -chave:

● Resistência à alta temperatura

●  Alta pureza, não poluirá matérias -primas SiC e cristais únicos SiC.

●  Resistente a Al Steam e N₂corrosion

●  Alta temperatura eutética (com ALN) para reduzir o ciclo de preparação de cristais.

●  Reciclável (até 200H), melhora a sustentabilidade e a eficiência da preparação de tais cristais únicos.


Características de revestimento TAC

Tantalum Carbide Coating Characteristics


Propriedades físicas típicas do revestimento TAC

Propriedades físicas do revestimento TAC
Densidade 14.3 (g/cm³)
Emissividade específica 0.3
Coeficiente de expansão térmica 6.3 10-6/K
Dureza (hk) 2000 HK
Resistência 1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidade térmica <2500 ℃
Mudanças de tamanho de grafite -10 ~ -20um
Espessura do revestimento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


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