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Anel de grafite revestido CVD TaC
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Anel de grafite revestido CVD TaC

O anel de grafite revestido com CVD TaC da Veteksemicon foi projetado para atender às demandas extremas do processamento de wafers semicondutores. Utilizando a tecnologia de Deposição Química de Vapor (CVD), um revestimento denso e uniforme de Carboneto de Tântalo (TaC) é aplicado a substratos de grafite de alta pureza, alcançando dureza, resistência ao desgaste e inércia química excepcionais. Na fabricação de semicondutores, o anel de grafite revestido com CVD TaC é amplamente utilizado em MOCVD, gravação, difusão e câmaras de crescimento epitaxial, servindo como um componente estrutural ou de vedação chave para transportadores de wafer, susceptores e conjuntos de blindagem. Aguardamos sua consulta adicional.

Informações gerais do produto

Local de Origem:
China
Marca:
Meu rival
Número do modelo:
Anel de grafite revestido com CVD TaC-01
Certificação:
ISO9001

Termos comerciais do produto


Quantidade mínima de pedido:
Sujeito a negociação
Preço:
Contato para cotação personalizada
Detalhes da embalagem:
Pacote de exportação padrão
Prazo de entrega:
Prazo de entrega: 30-45 dias após a confirmação do pedido
Condições de pagamento:
T/T
Capacidade de fornecimento:
200 unidades/mês


Aplicativo: O anel revestido Veteksemicon CVD TaC é especialmente desenvolvido paraProcessos de crescimento de cristais de SiC. Como um componente chave de suporte de carga dentro da câmara de reação de alta temperatura, seu revestimento TaC exclusivo isola efetivamente a corrosão por vapor de silício, evita a contaminação por impurezas e garante estabilidade estrutural em ambientes de alta temperatura a longo prazo, fornecendo uma garantia confiável para a obtenção de cristais de alta qualidade.


Serviços que podem ser fornecidos: análise de cenário de aplicação do cliente, correspondência de materiais, solução de problemas técnicos.


Perfil da empresae:A Veteksemicon possui 2 laboratórios, uma equipe de especialistas com 20 anos de experiência em materiais, com P&D e capacidade de produção, teste e verificação.


O anel revestido Veteksemicon CVD TaC é um consumível de núcleo projetado para deposição de vapor químico em alta temperatura e crescimento de cristal de materiais semicondutores avançados, particularmente carboneto de silício. Utilizamos uma tecnologia exclusiva e otimizada de deposição de vapor químico para depositar uma camada densa e uniformerevestimento de carboneto de tântaloem um substrato de grafite de alta pureza. Com excepcional resistência a altas temperaturas, excelente resistência à corrosão e uma vida útil extremamente longa, este produto protege efetivamente a qualidade do cristal e reduz significativamente seus custos gerais de produção, tornando-o uma escolha essencial para processos que exigem estabilidade de processo e o mais alto rendimento.


Parâmetros técnicos:

projeto
parâmetro
Material base
Grafite de alta pureza prensada isostaticamente (pureza ≥ 99,99%)
Material de revestimento
Carboneto de tântalo
Tecnologia de revestimento
Deposição química de vapor em alta temperatura
Espessura do revestimento
Padrão 30-100μm (pode ser personalizado de acordo com os requisitos do processo)
Puri de revestimentoty
≥ 99,995%
Temperatura máxima de operação
2200°C (atmosfera inerte ou vácuo)
Principais aplicações
Crescimento de cristal SiC PVT/LPE, MOCVD, outros processos CVD de alta temperatura


Vantagens principais do anel revestido Veteksemicon CVD TaC


Pureza e estabilidade incomparáveis

No ambiente extremo de crescimento do cristal de SiC, onde as temperaturas excedem 2.000°C, até mesmo vestígios de impurezas podem destruir as propriedades elétricas de todo o cristal. NossoRevestimento CVD TaC, com sua pureza excepcional, elimina fundamentalmente a contaminação do anel. Além disso, sua excelente estabilidade em altas temperaturas garante que o revestimento não se decomponha, volatilize ou reaja com gases de processo durante ciclos térmicos e de alta temperatura prolongados, proporcionando um ambiente de fase de vapor puro e estável para o crescimento de cristais.


Excelente corrosão eresistência à erosão

A corrosão da grafite pelo vapor de silício é a principal causa de falha e contaminação por partículas em anéis de grafite tradicionais. Nosso revestimento TaC, com sua reatividade química extremamente baixa com o silício, bloqueia efetivamente o vapor de silício, protegendo o substrato de grafite subjacente da erosão. Isto não só prolonga significativamente a vida útil do próprio anel, mas, mais importante ainda, reduz significativamente as partículas geradas pela corrosão e fragmentação do substrato, melhorando diretamente o rendimento do crescimento do cristal e a qualidade interna.


Excelente desempenho mecânico e vida útil

O revestimento TaC formado pelo processo CVD possui altíssima densidade e dureza Vickers, tornando-o extremamente resistente ao desgaste e ao impacto físico. Em aplicações práticas, nossos produtos podem prolongar a vida útil de 3 a 8 vezes em comparação com anéis de grafite tradicionais ou anéis revestidos pirolíticos de carbono/carboneto de silício. Isto significa menos tempo de inatividade para substituição e maior utilização do equipamento, reduzindo significativamente o custo geral da produção de cristal único.


Excelente qualidade de revestimento

O desempenho de um revestimento é altamente dependente da sua uniformidade e resistência de ligação. Nosso processo CVD otimizado nos permite obter espessuras de revestimento altamente uniformes até mesmo nas geometrias de anéis mais complexas. Mais importante ainda, o revestimento forma uma forte ligação metalúrgica com o substrato de grafite de alta pureza, prevenindo efetivamente o descascamento, rachaduras ou descamação causados ​​por diferenças nos coeficientes de expansão térmica durante ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento, garantindo desempenho confiável e contínuo durante todo o ciclo de vida do produto.


Endosso de verificação de cadeia ecológica

A verificação da cadeia ecológica do Veteksemicon CVD TaC Coated Ring abrange matérias-primas até a produção, foi aprovada na certificação de padrão internacional e possui uma série de tecnologias patenteadas para garantir sua confiabilidade e sustentabilidade nos campos de semicondutores e novas energias.


Principais campos de aplicação

Direção da aplicação
Cenário típico
Crescimento de cristais de SiC
Anéis de suporte de núcleo para monocristais 4H-SiC e 6H-SiC cultivados pelos métodos PVT (transporte físico de vapor) e LPE (epitaxia em fase líquida).
GaN na epitaxia SiC
Um transportador ou conjunto em um reator MOCVD.
Outros processos de semicondutores de alta temperatura
É adequado para qualquer processo avançado de fabricação de semicondutores que exija proteção do substrato de grafite em ambientes de alta temperatura e altamente corrosivos.


Para especificações técnicas detalhadas, white papers ou arranjos de testes de amostra, por favorentre em contato com nossa equipe de suporte técnicopara explorar como a Veteksemicon pode melhorar a eficiência do seu processo.


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