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Bandeja epitaxial de silício monocristalino de revestimento SiC
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Bandeja epitaxial de silício monocristalino de revestimento SiC

A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC é um acessório importante para o forno de crescimento epitaxial de silício monocristalino, garantindo poluição mínima e ambiente de crescimento epitaxial estável. A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek Semiconductor tem uma vida útil ultralonga e oferece uma variedade de opções de personalização. A VeTek Semiconductor espera se tornar seu parceiro de longo prazo na China.

A bandeja epitaxial de silício monocristalino com revestimento SiC da VeTek semiconductor é especialmente projetada para crescimento epitaxial de silício monocristalino e desempenha um papel importante na aplicação industrial de epitaxia de silício monocristalino e dispositivos semicondutores relacionados.Revestimento sicNão apenas melhora significativamente a resistência à temperatura e a resistência à corrosão da bandeja, mas também garante estabilidade a longo prazo e excelente desempenho em ambientes extremos.


Vantagens do revestimento sic


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

● Alta condutividade térmica: O revestimento SiC melhora muito a capacidade de gerenciamento térmico da bandeja e pode dispersar com eficácia o calor gerado por dispositivos de alta potência.


●  Resistência à corrosão: O revestimento SiC tem um bom desempenho em ambientes de alta temperatura e corrosivo, garantindo vida e confiabilidade de serviço a longo prazo.


● Uniformidade da superfície: Proporciona uma superfície plana e lisa, evitando efetivamente erros de fabricação causados ​​por irregularidades superficiais e garantindo a estabilidade do crescimento epitaxial.


Segundo a pesquisa, quando o tamanho dos poros do substrato de grafite está entre 100 e 500 nm, um revestimento de gradiente SiC pode ser preparado no substrato de grafite e o revestimento SiC tem uma capacidade de antioxidação mais forte. A resistência da oxidação do revestimento SiC nessa grafite (curva triangular) é muito mais forte que a de outras especificações de grafite, adequada para o crescimento da epitaxia de silício de cristal único. Vetek semicondutor de revestimento sic monocristalino silicone epitaxial bandeja usa grafite SGL como osubstrato de grafite, que é capaz de alcançar tal desempenho.


A bandeja epitaxial de silício de vetek semicondutores usa os melhores materiais de grafite e a tecnologia de processamento de revestimento SIC mais avançado. Mais importante, não importa o que a personalização do produto precisa, podemos fazer o possível para conhecer.


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC


Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC
Propriedade
Valor típico
Estrutura Cristalina
Policristalina da fase β da FCC, principalmente (111) orientada
Densidade
3,21g/cm³
Dureza
2500 VICKERS DUÊNDA (500G CARRE
Grão Size
2 ~ 10mm
Pureza Química
99,99995%
Capacidade de calor
640 J · kg-1· K-1
Temperatura de sublimação 2700°C
Força de flexão
415 MPA RT 4 pontos
Módulo de Young
Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃
Condutividade Térmica
300W · m-1· K-1
Expansão térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

Oficinas de produção de semicondutores VeTek


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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