Susceptador de barril revestido com sic

O VETEK SEMICONDUCOR é um dos principais fabricantes, fornecedores e exportadores de revestimento da China SiC e TAC. A adesão à busca pela qualidade perfeita dos produtos, para que nosso suscetion de barril revestido com SIC tenha sido satisfeito por muitos clientes. Design extremo, matérias-primas de qualidade, alto desempenho e preço competitivo são o que todo cliente deseja e é isso também que podemos oferecer. Claro, também essencial é o nosso serviço pós-venda perfeito. Se você está interessado em nossos serviços de Susceptor de Barril Revestido de SiC, pode nos consultar agora, responderemos a tempo!

Susceptador de barril revestido com semicondutor SiC vetek é usado principalmente para reatores LPE SI EPI

A epitaxia de silício LPE (fase líquida de fase líquida) é uma técnica de crescimento epitaxial de semicondutores comumente usada para depositar camadas finas de silício de cristal único em substratos de silício. É um método de crescimento da fase líquida baseada em reações químicas em uma solução para obter crescimento de cristais.

O princípio básico da epitaxia de silício LPE envolve a imersão do substrato em uma solução contendo o material desejado, controlando a composição de temperatura e solução, permitindo que o material na solução cresça como uma camada de silício de cristal único na superfície do substrato. Ao ajustar as condições de crescimento e a composição da solução durante o crescimento epitaxial, a qualidade desejada do cristal, a espessura e a concentração de dopagem podem ser alcançadas.

A epitaxia de silício LPE oferece diversas características e vantagens. Primeiramente, pode ser realizado em temperaturas relativamente baixas, reduzindo o estresse térmico e a difusão de impurezas no material. Em segundo lugar, a epitaxia de silício LPE oferece alta uniformidade e excelente qualidade de cristal, adequada para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho. Além disso, a tecnologia LPE permite o crescimento de estruturas complexas, como multicamadas e heteroestruturas.

Na epitaxia de silício de LPE, o susceptador de barril revestido com SiC é um componente epitaxial crucial. Normalmente, é usado para manter e suportar os substratos de silício necessários para o crescimento epitaxial, fornecendo temperatura e controle da atmosfera. O revestimento SiC aumenta a durabilidade de alta temperatura e a estabilidade química do suscettor, atendendo aos requisitos do processo de crescimento epitaxial. Ao utilizar o suscetador de barril revestido com SiC, a eficiência e a consistência do crescimento epitaxial podem ser melhoradas, garantindo o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.

Propriedades físicas básicas do revestimento CVD SiC

Estrutura cristalina de filme sic cvd

Semicondutor VeTekOficinas de produção de susceptores de barril revestido de SiC