Susceptor de revestimento MOCVD SiC

O susceptor de revestimento VeTek Semiconductor MOCVD SiC é feito de alta qualidadegrafite, que é selecionado por sua estabilidade térmica e excelente condutividade térmica (cerca de 120-150 W/m·K). As propriedades inerentes do grafite tornam-no um material ideal para suportar as condições adversas no interiorReatores MOCVD. Para melhorar seu desempenho e prolongar sua vida útil, o Susceptador de grafite é cuidadosamente revestido com uma camada de carboneto de silício (sic).

O susceptor de revestimento MOCVD SiC é um componente chave usado emDeposição de vapor químico (CVD)eprocessos de deposição química de vapor orgânico metálico (MOCVD). Sua principal função é suportar e aquecer as bolachas de silício ou carboneto de silício (sic) e garantir deposição uniforme de gás em um ambiente de alta temperatura. É um produto indispensável no processamento de semicondutores.

Aplicações do Susceptador de revestimento MOCVD SIC no processamento semicondutor:

Suporte e aquecimento de wafer:

O susceptor de revestimento MOCVD SiC não só tem uma função de suporte poderosa, mas também pode aquecer efetivamente owaferuniformemente para garantir a estabilidade do processo de deposição de vapor químico. Durante o processo de deposição, a alta condutividade térmica do revestimento SiC pode transferir rapidamente a energia térmica para todas as áreas da bolacha, evitando superaquecimento local ou temperatura insuficiente, garantindo assim que o gás químico possa ser depositado uniformemente na superfície da wafer. Esse efeito uniforme de aquecimento e deposição melhora bastante a consistência do processamento de bolacha, tornando a espessura do filme da superfície de cada uniforme de wafer e reduzindo a taxa de defeitos, melhorando ainda mais o rendimento da produção e a confiabilidade do desempenho dos dispositivos semicondutores.

Crescimento da epitaxia:

NoProcesso MOCVDOs portadores revestidos com SiC são componentes -chave no processo de crescimento da epitaxia. Eles são usados ​​especificamente para apoiar e aquecer as bolachas de silício e carboneto de silício, garantindo que os materiais na fase de vapor químico possam ser depositados uniformemente e com precisão na superfície da wafer, formando assim estruturas de filme fino de alta qualidade e sem defeitos. Os revestimentos do SIC não são apenas resistentes a altas temperaturas, mas também mantêm a estabilidade química em ambientes complexos de processo para evitar contaminação e corrosão. Portanto, os portadores revestidos com SiC desempenham um papel vital no processo de crescimento da epitaxia de dispositivos semicondutores de alta precisão, como dispositivos de energia SiC (como MOSFETs e diodos SiC), LEDs (especialmente LEDs azuis e ultravioletas) e células solares fotovoltaicas.

Nitreto de gálio (GaN)e epitaxia de arseneto de gálio (GAAs):

Os portadores revestidos com SiC são uma escolha indispensável para o crescimento de camadas epitaxiais de GaN e GAAs devido à sua excelente condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica. Sua condutividade térmica eficiente pode distribuir uniformemente o calor durante o crescimento epitaxial, garantindo que cada camada de material depositado possa crescer uniformemente a uma temperatura controlada. Ao mesmo tempo, a baixa expansão térmica do SIC permite que ele permaneça dimensionalmente estável sob mudanças extremas de temperatura, reduzindo efetivamente o risco de deformação da wafer, garantindo assim a alta qualidade e a consistência da camada epitaxial. Esse recurso faz com que os portadores revestidos com SIC uma escolha ideal para fabricar dispositivos eletrônicos de alta frequência e de alta potência (como dispositivos HEMT GAN) e comunicações ópticas e dispositivos optoeletrônicos (como lasers e detectores baseados em GaAs).

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