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As membranas de cerâmica veteksemicon são um tipo de membrana inorgânica e pertencem a materiais de membrana sólida na tecnologia de separação de membranas. As membranas SiC são disparadas a uma temperatura acima de 2000 ℃. A superfície das partículas é lisa e redonda. Não há poros ou canais fechados na camada de suporte e em cada camada. Eles geralmente são compostos por três camadas com diferentes tamanhos de poros.

A pasta de polimento CMP (pasta de polimento químico-mecânico) é um material de alto desempenho usado na fabricação de semicondutores e processamento de materiais de precisão. Sua função principal é obter planicidade fina e polimento da superfície do material sob o efeito sinérgico da corrosão química e retificação mecânica para atender aos requisitos de planicidade e qualidade da superfície no nível nano. Aguardamos sua consulta adicional.

Como fabricante chinês líder de produtos de carbono vítreo, os cadutores de carbono vítreo da VetekSemicon são amplamente utilizados no campo de fabricação de semicondutores devido à sua excelente pureza ultra-alta, porosidade zero, anti-permeação e excelente resistência à corrosão química e ganhou elogios de clientes europeus e americanos. Bem -vindo à sua pergunta.

Como fabricante chinesa e fornecedora chinesa de produtos de revestimento de carboneto de silício, o portador de bolacha revestido com SiC da VetekSemicon para a gravação desempenha um papel central insubstituível no processo de gravação, com sua excelente estabilidade de alta temperatura, resistência à corrosão excepcional e alta condutividade térmica.

Susceptador de wafer revestido com CVD SiC da VetekSemicon é uma solução de ponta para processos epitaxiais de semicondutores, oferecendo pureza ultra-alta (≤100ppb, ICP-E10 certificada) e estabilidade térmica/química excepcional para o crescimento de contaminação. Projetado com tecnologia CVD de precisão, suporta bolachas de 6 ”/8”/12 ”, garante tensão térmica mínima e suporta temperaturas extremas até 1600 ° C.

Nosso susceptador planetário revestido com SiC é um componente central no processo de alta temperatura da fabricação de semicondutores. Seu projeto combina substrato de grafite com revestimento de carboneto de silício para obter otimização abrangente do desempenho do gerenciamento térmico, estabilidade química e resistência mecânica.