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O susceptor revestido de SiC VETEK MOCVD é uma solução de suporte projetada com precisão, desenvolvida especificamente para crescimento epitaxial de LED e semicondutores compostos. Ele demonstra excepcional uniformidade térmica e inércia química em ambientes MOCVD complexos. Aproveitando o rigoroso processo de deposição CVD da VETEK, estamos comprometidos em melhorar a consistência do crescimento do wafer e estender a vida útil dos componentes principais, fornecendo garantia de desempenho estável e confiável para cada lote de sua produção de semicondutores.

O susceptor revestido Vetek CVD TaC é uma solução de precisão desenvolvida especificamente para crescimento epitaxial de MOCVD de alto desempenho. Demonstra excelente estabilidade térmica e inércia química em ambientes de temperaturas extremamente altas de 1600°C. Contando com o rigoroso processo de deposição CVD da VETEK, estamos comprometidos em melhorar a uniformidade do crescimento do wafer, prolongando a vida útil dos componentes principais e fornecendo garantias de desempenho estáveis ​​e confiáveis ​​para cada lote de produção de semicondutores.

O anel de foco de carboneto de silício sólido (SiC) Veteksemicon é um componente consumível crítico usado em processos avançados de epitaxia de semicondutores e gravação de plasma, onde o controle preciso da distribuição de plasma, uniformidade térmica e efeitos de borda de wafer são essenciais. Fabricado em carboneto de silício sólido de alta pureza, este anel de foco apresenta excepcional resistência à erosão por plasma, estabilidade em altas temperaturas e inércia química, permitindo desempenho confiável sob condições de processo agressivas. Aguardamos sua consulta.

O crescimento de cristais de carboneto de silício é um processo central na fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho. A estabilidade, precisão e compatibilidade do equipamento de crescimento de cristais determinam diretamente a qualidade e o rendimento dos lingotes de carboneto de silício. Com base nas características da tecnologia de transporte físico de vapor (PVT), a Veteksemi desenvolveu um forno de aquecimento por resistência para o crescimento de cristais de carboneto de silício, permitindo o crescimento estável de cristais de carboneto de silício de 6, 8 e 12 polegadas com total compatibilidade com sistemas de materiais condutores, semi-isolantes e do tipo N. Através do controle preciso de temperatura, pressão e potência, ele reduz efetivamente defeitos de cristal, como EPD (Etch Pit Density) e BPD (Basal Plane Dislocation), ao mesmo tempo que apresenta baixo consumo de energia e um design compacto para atender aos altos padrões de produção industrial em grande escala.

A tecnologia de ligação de sementes de SiC é um dos principais processos que afetam o crescimento do cristal. A VETEK desenvolveu um forno de prensagem a quente a vácuo especializado para colagem de sementes com base nas características deste processo. O forno pode efetivamente reduzir vários defeitos gerados durante o processo de colagem das sementes, melhorando assim o rendimento e a qualidade final do lingote de cristal.

A câmara do reator epitaxial revestido com SiC da Veteksemicon é um componente central projetado para processos exigentes de crescimento epitaxial de semicondutores. Utilizando deposição química de vapor avançada (CVD), este produto forma um revestimento de SiC denso e de alta pureza em um substrato de grafite de alta resistência, resultando em estabilidade superior em altas temperaturas e resistência à corrosão. Ele resiste efetivamente aos efeitos corrosivos dos gases reagentes em ambientes de processo de alta temperatura, suprime significativamente a contaminação por partículas, garante qualidade consistente do material epitaxial e alto rendimento, e estende substancialmente o ciclo de manutenção e a vida útil da câmara de reação. É uma escolha fundamental para melhorar a eficiência e a confiabilidade da fabricação de semicondutores de banda larga, como SiC e GaN.